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1. (WO2008126696) 半導体発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/126696    国際出願番号:    PCT/JP2008/056020
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
出願人: Rohm Co., Ltd. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HATA, Yasunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HATA, Yasunori; (JP)
代理人: YOSHIDA, Minoru; 2-32-1301, Tamatsukuri-motomachi Tennoji-ku, Osaka-shi Osaka 5430014 (JP)
優先権情報:
2007-099240 05.04.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor light-emitting device (A) comprises a semiconductor light-emitting element (2) having a light-emitting layer (22), a lead (1) in which a reflector (11) surrounding the semiconductor light-emitting element (2) is formed, and a light-transmissive resin (4) covering the semiconductor light-emitting element (2). The lead (1) has a recess (12) formed in the bottom surface of the reflector (11). The semiconductor light-emitting element (2) is supported on the bottom surface of the recess (12) with the light-emitting layer (22) exposed at the recess (12). A high heat conductive member (3) the heat conductivity of which is larger than that of the light-transmissive resin (4) is charged between the semiconductor light-emitting element (2) and the recess (12).
(FR)Dispositif électroluminescent à semi-conducteur (A) constitué d'un élément électroluminescent à semi-conducteur (2) muni d'une couche électroluminescente (22), d'un fil de sortie (1) dans lequel est formé un réflecteur (11) entourant l'élément électroluminescent à semi-conducteur (2) et d'une résine translucide (4) recouvrant l'élément électroluminescent à semi-conducteur (2). Le fil de sortie (1) a un évidement (12) formé dans la surface inférieure du réflecteur (11). L'élément électroluminescent à semi-conducteur (2) est supporté sur la surface inférieure de l'évidement (12), la couche électroluminescente (22) étant exposée au niveau de l'évidement (12). Un élément à conductivité thermique élevée (3), dont la conductivité thermique est supérieure à celle de la résine translucide (4), est chargé entre l'élément électroluminescent à semi-conducteur (2) et l'évidement (12).
(JA) 半導体発光素子(A)は、発光層(22)を有する半導体発光素子(2)と、上記半導体発光素子(2)を囲むリフレクタ(11)が形成されたリード(1)と、上記半導体発光素子(2)を覆う透光樹脂(4)とを備える。上記リード(1)は、上記リフレクタ(11)の底面に形成された凹部(12)を有している。上記半導体発光素子(2)は、上記発光層(22)を上記凹部(12)から露出させた状態で、上記凹部(12)の底面に支持されている。上記半導体発光素子(2)と上記凹部(12)との間には、上記透光樹脂(4)よりも熱伝導率が大である高熱伝導材(3)が充填されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)