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1. (WO2008126695) 窒化物系半導体発光素子、および窒化物系半導体発光素子を作製する方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/126695 国際出願番号: PCT/JP2008/056013
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/16 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
04
量子効果を奏する構造または超格子を有するもの,例.トンネル接合
06
発光領域内にあるもの,例.量子閉じ込め構造,トンネル障壁
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
16
特定の結晶構造や結晶方位を有するもの,例.多結晶,アモルファス,ポーラス
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 Osaka 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP (AllExceptUS)
秋田 勝史 AKITA, Katsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
京野 孝史 KYONO, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
石橋 恵二 ISHIBASHI, Keiji [JP/JP]; JP (UsOnly)
笠井 仁 KASAI, Hitoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
秋田 勝史 AKITA, Katsushi; JP
京野 孝史 KYONO, Takashi; JP
石橋 恵二 ISHIBASHI, Keiji; JP
笠井 仁 KASAI, Hitoshi; JP
代理人:
中野 稔 NAKANO, Minoru; 〒5540024 大阪府大阪市此花区島屋一丁目1番3号 住友電気工業株式会社内 Osaka c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-3 Shimaya 1-chome, Konohana-ku Osaka-shi, Osaka 5540024, JP
優先権情報:
2007-10093006.04.2007JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 窒化物系半導体発光素子、および窒化物系半導体発光素子を作製する方法
要約:
(EN) Active layer (17) is provided so as to emit light of 440 to 550 nm emission wavelength. First conductive gallium nitride semiconductor region (13), the active layer (17) and second conductive gallium nitride semiconductor region (15) are arranged along the direction of given axis (Ax). The active layer (17) has a well layer of hexagonal InXGa1-XN (0.16≤X≤0.4, X: strain formulation), and the indium formulation X is represented by a strain formulation. The m-face of the hexagonal InXGa1-XN is oriented in the direction of given axis (Ax). The thickness of the well layer is greater than 3 nm but not greater than 20 nm. By causing the thickness of the well layer to exceed 3 nm, there can be prepared a light emitting device of 440 nm or greater light emission wavelength.
(FR) L'invention concerne une couche active (17) prévue pour émettre une lumière à une longueur d'onde d'émission de 440 à 550 nm. Une première zone conductrice à semi-conducteur de nitrure de gallium (13), la couche active (17) et une seconde zone conductrice à semi-conducteur de nitrure de gallium (15) sont agencées le long de la direction d'un axe donné (Ax). La couche active (17) inclut une couche de puits d'InXGa1-XN hexagonale (0,16 £ X £ 0,4, X : formulation de souche), et la formulation d'indium X est représentée par une formulation de souche. La face m d'InXGa1-XN hexagonale est orientée dans la direction de l'axe donné (Ax). L'épaisseur de la couche de puits se situe entre 3 nm et 20 nm. Un dispositif électroluminescent de longueur d'onde d'émission de 440 nm ou plus peut être préparé en amenant l'épaisseur de la couche de puits à dépasser 3 nm.
(JA)  活性層17は、波長440nm以上550nm以下の範囲の発光波長の光を発生するように設けられる。第1導電型窒化ガリウム系半導体領域13、活性層17および第2導電型窒化ガリウム系半導体領域15は、所定の軸Axの方向に配列されている。 活性層17は、六方晶系InGa1-XN(0.16≦X≦0.4、Xは歪み組成)からなる井戸層を含み、インジウム組成Xは歪み組成で表されている。六方晶系InGa1-XNのm面が所定の軸Axの方向に向いている。井戸層の厚さは3nmより大きく20nm以下である。井戸層の厚みを3nm以上にすることによって、発光波長440nm以上の発光素子を作製することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090124908EP2043167US20100032644CN101542760