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1. (WO2008126695) 窒化物系半導体発光素子、および窒化物系半導体発光素子を作製する方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/126695    国際出願番号:    PCT/JP2008/056013
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AKITA, Katsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KYONO, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIBASHI, Keiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KASAI, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AKITA, Katsushi; (JP).
KYONO, Takashi; (JP).
ISHIBASHI, Keiji; (JP).
KASAI, Hitoshi; (JP)
代理人: NAKANO, Minoru; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-3 Shimaya 1-chome, Konohana-ku Osaka-shi, Osaka 5540024 (JP)
優先権情報:
2007-100930 06.04.2007 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 窒化物系半導体発光素子、および窒化物系半導体発光素子を作製する方法
要約: front page image
(EN)Active layer (17) is provided so as to emit light of 440 to 550 nm emission wavelength. First conductive gallium nitride semiconductor region (13), the active layer (17) and second conductive gallium nitride semiconductor region (15) are arranged along the direction of given axis (Ax). The active layer (17) has a well layer of hexagonal InXGa1-XN (0.16≤X≤0.4, X: strain formulation), and the indium formulation X is represented by a strain formulation. The m-face of the hexagonal InXGa1-XN is oriented in the direction of given axis (Ax). The thickness of the well layer is greater than 3 nm but not greater than 20 nm. By causing the thickness of the well layer to exceed 3 nm, there can be prepared a light emitting device of 440 nm or greater light emission wavelength.
(FR)L'invention concerne une couche active (17) prévue pour émettre une lumière à une longueur d'onde d'émission de 440 à 550 nm. Une première zone conductrice à semi-conducteur de nitrure de gallium (13), la couche active (17) et une seconde zone conductrice à semi-conducteur de nitrure de gallium (15) sont agencées le long de la direction d'un axe donné (Ax). La couche active (17) inclut une couche de puits d'InXGa1-XN hexagonale (0,16 £ X £ 0,4, X : formulation de souche), et la formulation d'indium X est représentée par une formulation de souche. La face m d'InXGa1-XN hexagonale est orientée dans la direction de l'axe donné (Ax). L'épaisseur de la couche de puits se situe entre 3 nm et 20 nm. Un dispositif électroluminescent de longueur d'onde d'émission de 440 nm ou plus peut être préparé en amenant l'épaisseur de la couche de puits à dépasser 3 nm.
(JA) 活性層17は、波長440nm以上550nm以下の範囲の発光波長の光を発生するように設けられる。第1導電型窒化ガリウム系半導体領域13、活性層17および第2導電型窒化ガリウム系半導体領域15は、所定の軸Axの方向に配列されている。 活性層17は、六方晶系InGa1-XN(0.16≦X≦0.4、Xは歪み組成)からなる井戸層を含み、インジウム組成Xは歪み組成で表されている。六方晶系InGa1-XNのm面が所定の軸Axの方向に向いている。井戸層の厚さは3nmより大きく20nm以下である。井戸層の厚みを3nm以上にすることによって、発光波長440nm以上の発光素子を作製することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)