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1. (WO2008126625) 上層反射防止膜形成用樹脂及び上層反射防止膜形成用組成物並びにレジストパターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/126625 国際出願番号: PCT/JP2008/054658
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 13.03.2008
IPC:
C08F 12/32 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
12
ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つが芳香族炭素環によって停止されている化合物の単独重合体または共重合体
02
1個の不飽和脂肪族基を含有する単量体
32
2個以上の環を含有するもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
JSR株式会社 JSR Corporation [JP/JP]; 〒1048410 東京都中央区築地五丁目6番10号 Tokyo 6-10, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku Tokyo 1048410, JP (AllExceptUS)
夏目 紀浩 NATSUME, Norihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
杉江 紀彦 SUGIE, Norihiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
高橋 純一 TAKAHASHI, Junichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
夏目 紀浩 NATSUME, Norihiro; JP
杉江 紀彦 SUGIE, Norihiko; JP
高橋 純一 TAKAHASHI, Junichi; JP
代理人:
小島 清路 KOJIMA, Seiji; 〒4560031 愛知県名古屋市熱田区神宮三丁目8番20号 神宮東熱田ビル4階 Aichi JINGUHIGASHI ATSUTA Bldg. 4F 8-20, Jingu 3-chome, Atsuta-ku Nagoya-shi, Aichi 4560031, JP
優先権情報:
2007-07768923.03.2007JP
2007-08572628.03.2007JP
発明の名称: (EN) RESIN FOR FORMATION OF UPPER ANTIREFLECTIVE FILM, COMPOSITION FOR FORMATION OF UPPER ANTIREFLECTIVE FILM, AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
(FR) RÉSINE POUR LA FORMATION D'UN FILM ANTI-REFLET SUPÉRIEUR, COMPOSITION POUR FORMER UN FILM ANTI-REFLET SUPÉRIEUR, ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF EN RÉSINE
(JA) 上層反射防止膜形成用樹脂及び上層反射防止膜形成用組成物並びにレジストパターン形成方法
要約:
(EN) Disclosed are: a resin for forming an upper antireflective film which can reduce a standing wave effect satisfactorily and has excellent solubility in an alkaline developer in lithography; a composition for forming the upper antireflective film; and a method for forming a resist pattern. Specifically, the resin for forming an upper antireflective film has at least one unit selected from a repeating unit represented by the formula (1) and a repeating unit represented by the formula (2), has a weight average molecular weight of 1000 to 100000 as measured by GPC method, and is soluble in an alkaline developer. (1) (2) wherein R1 to R14 independently represent a hydrogen atom, -OH, -COOH or -SO3H, provided that all of R1 to R7 or R8 to R14 do not represent a hydrogen atom in a molecule.
(FR) La présente invention concerne une résine destinée à la formation d'un film anti-reflet supérieur qui peut réduire de manière satisfaisante un effet d'onde stationnaire et qui présente une excellente solubilité dans un révélateur alcalin en lithographie. L'invention concerne également une composition destinée à former le film anti-reflet supérieur ; et un procédé de formation d'un motif en résine. Spécifiquement, la résine destinée à la formation d'un film anti-reflet supérieur a au moins une unité choisie parmi une unité répétée représentée par la formule (1) et une unité répétée représentée par la formule (2), a un poids moléculaire moyen en poids de 1 000 à 100 000 tel que mesuré par un procédé de CPG, et est soluble dans un révélateur alcalin. (1) (2) R1 à R14 représentant indépendamment un atome d'hydrogène, -OH, -COOH ou -SO3H, à condition que tous les R1 à R7 ou R8 à R14 ne représentent pas un atome d'hydrogène dans une molécule.
(JA)  本発明の目的は、リソグラフィーにおいて、定在波効果を十分に低減することができ、且つアルカリ現像液に対する溶解性に優れた上層反射防止膜形成用樹脂及び上層反射防止膜形成用組成物並びにレジストパターン形成方法を提供することである。本上層反射防止膜形成用樹脂は、下式(1)の繰り返し単位、及び下式(2)の繰り返し単位のうちの少なくとも一方を含み、GPC法により測定される重量平均分子量が1000~100000であり、且つアルカリ現像液に可溶なものである。  〔式中、R~R14は、それぞれ、水素原子、-OH、-COOH、又は-SOHであり、且つR~R若しくはR~R14の全てが水素原子になることはない。〕
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100112475