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1. (WO2008126622) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/126622 国際出願番号: PCT/JP2008/054649
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 13.03.2008
IPC:
C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
伊藤 仁 ITOH, Hitoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
伊藤 仁 ITOH, Hitoshi; JP
代理人:
吉武 賢次 YOSHITAKE, Kenji; 〒1000005 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 富士ビル323号 協和特許法律事務所 Tokyo Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg., 2-3 Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
優先権情報:
2007-09516230.03.2007JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FILM FORMATION, APPARATUS FOR FILM FORMATION, AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET SUPPORT D'IMPRESSION
(JA) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
要約:
(EN) This invention provides a method for film formation, which can significantly suppress the amount of a starting gas consumed in the formation of a metallic copper film on a substrate by supplying a gas of a metallic starting material complex, for example, copper acetate, produced by the sublimation of a solid starting material, as a starting gas to the substrate to cause a chemical reaction of the starting gas. A starting gas produced by the sublimation of a solid starting material is supplied into a treatment vessel, and the starting material is adsorbed as a solid onto an adsorption/desorption member within the treatment vessel. Next, the starting gas supply and evacuation are stopped, and the treatment vessel is brought to the state of a closed space. Thereafter, the substrate is heated, and the starting material is desorbed from the adsorption/desorption member, and this starting material is chemically reacted on the substrate to form a thin film on the substrate.
(FR) Cette invention propose un procédé de formation de film, qui peut supprimer de façon significative la quantité d'un gaz d'amorçage consommé dans la formation d'un film de cuivre métallique sur un substrat par l'alimentation d'un gaz d'un complexe de matériau de départ métallique, par exemple, de l'acétate de cuivre, produit par la sublimation d'un matériau de départ solide, comme gaz d'amorçage pour le substrat pour provoquer une réaction chimique du gaz d'amorçage. Un gaz de départ produit par la sublimation d'un matériau de départ solide est introduit dans un récipient de traitement, et le matériau de départ est adsorbé comme un solide sur un élément d'adsorption/désorption à l'intérieur du récipient de traitement. Ensuite, l'alimentation en gaz d'amorçage et l'évacuation du gaz d'amorçage sont arrêtées, et le récipient de traitement est amené à l'état d'un espace fermé. Par la suite, le substrat est chauffé, et le matériau de départ est désorbé à partir de l'élément d'adsorption/désorption, et ce matériau de départ est amené à réagir chimiquement sur le substrat pour former un film mince sur le substrat.
(JA)  固体原料を昇華して得られる金属原料錯体例えば酢酸銅のガスを基板に原料ガスとして供給して、この原料ガスの化学反応により基板上に金属銅を成膜する際、原料ガスの消費量を大幅に抑える。  処理容器内に固体原料を昇華して得られる原料ガスを供給し、処理容器内の吸着脱離部材に固体として原料を吸着させる。次いで原料ガスの供給と排気とを停止して、処理容器を密閉空間とする。その後、基板を加熱すると共に、吸着脱離部材から原料を脱離させて、基板上でこの原料を化学反応させ、基板上に薄膜を成膜する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090116817CN101652501