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1. (WO2008126541) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/126541 国際出願番号: PCT/JP2008/054257
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 10.03.2008
IPC:
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 Osaka 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP (AllExceptUS)
増田 健良 MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
増田 健良 MASUDA, Takeyoshi; JP
代理人:
深見 久郎 FUKAMI, Hisao; 〒5300005 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー22階 深見特許事務所 Osaka Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2007-09954105.04.2007JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step for forming an SiC film, a step for forming a trench (20) in the surface of the SiC film, a heat treatment step for heating the SiC film while supplying Si to the surface of the SiC film, and a step for forming a plurality of macrosteps (1), which are obtained in the surface of the SiC film by the heat treatment step, into channels. When the period of the trench (20) is represented by L and the height of the trench (20) is represented by h, the period L and the height h satisfy the following relation: L = h(cotα + cotβ) (wherein α and β are respectively a variable satisfying 0.5 ≤ α and β ≤ 45). This method enables to obtain a semiconductor device having improved characteristics.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui consiste à former un film de SiC, à former une tranchée (20) dans la surface du film de SiC, à traiter thermiquement, pour le chauffer, le film du SiC tout en fournissant du Si à la surface du film de SiC, et à former une pluralité de macro-étages (1), qui sont obtenus dans la surface du film de SiC par l'étape de traitement thermique, en canaux. Lorsque la période de la tranchée (20) est représentée par L et que la hauteur de la tranchée (20) est représentée par h, la période L et la hauteur h satisfont la relation suivante : L = h(cotα + cotβ) (dans laquelle α et β sont respectivement une variable satisfaisant 0,5 ≤ α et β ≤ 45). Ce procédé permet d'obtenir un dispositif à semi-conducteur ayant des caractéristiques améliorées.
(JA)  半導体装置の製造方法は、SiC膜を形成する工程と、SiC膜の表面にトレンチ(20)を形成する工程と、SiC膜の表面にSiを供給した状態でSiC膜を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってSiC膜の表面に得られた複数のマクロステップ(1)をチャネルとする工程とを備えている。トレンチ(20)の周期をLとし、トレンチ(20)の高さをhとした場合、周期Lと高さhとの間にはL=h(cotα+cotβ)(ただしα、βは0.5≦α、β≦45を満たす変数)が成り立っている。これにより、半導体装置の特性を向上することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090130017EP2133906US20100127278US20110024769CN101652833CA2682834