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1. (WO2008126532) エピタキシャル成長用基板および窒化物系化合物半導体単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/126532    国際出願番号:    PCT/JP2008/054134
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 07.03.2008
IPC:
C30B 29/24 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAKUSAKI, Misao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORIOKA, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Takayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAKUSAKI, Misao; (JP).
MORIOKA, Satoru; (JP).
SHIMIZU, Takayuki; (JP)
代理人: ARAFUNE, Hiroshi; c/o KOYO INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM 5F., Nikko Kagurazaka Bldg., 18 Iwatocho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620832 (JP)
優先権情報:
2007-065079 14.03.2007 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND METHOD FOR PRODUCING NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL
(FR) SUBSTRAT POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE SEMI-CONDUCTEUR À COMPOSÉ NITRURE
(JA) エピタキシャル成長用基板および窒化物系化合物半導体単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a technique for stabilizing characteristics of an NdGaO3 substrate which is used for epitaxial growth and growing a good-quality nitride compound semiconductor single crystal with good reproducibility. Specifically, an NdGaO3 single crystal grown by a crystal pulling method is subjected to an annealing process in the atmosphere at a temperature not less than 1400˚C but not more than 1500˚C for a certain time (for example, for 10 hours), and this annealed NdGaO3 substrate is used as a substrate for epitaxial growth.
(FR)La présente invention concerne une technique destinée à stabiliser les caractéristiques d'un substrat en NdGaO3 qui sert à la croissance épitaxiale et à faire croître un monocristal de semi-conducteur à composé nitrure de bonne qualité ayant une bonne reproductibilité. En particulier, un monocristal de NdGaO3 obtenu par un procédé de tirage de cristal est soumis à un procédé de recuit dans l'atmosphère à une température n'étant pas inférieure à 1400 ˚C, mais pas supérieure à 1500 ˚C pendant une certaine durée (par exemple, pendant 10 heures), et ce substrat en NdGaO3 recuit sert de substrat pour une croissance épitaxiale.
(JA) エピタキシャル成長に用いられるNdGaO基板の特性を安定させ、再現性よく良質な窒化物系化合物半導体単結晶を成長させることができる技術を提供する。  結晶引き上げ法により育成されたNdGaO単結晶に対して、大気中において、1400°C以上1500°C以下で所定時間(例えば、10時間)のアニール処理を施し、このアニール処理を施したNdGaO基板をエピタキシャル成長用基板に用いるようにした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)