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1. (WO2008126489) スパッタ処理装置およびスパッタ処理装置の使用方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/126489    国際出願番号:    PCT/JP2008/053400
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 27.02.2008
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKUMORI, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUKUMORI, Koji; (JP)
代理人: KAMEYA, Yoshiaki; HAZUKI INTERNATIONAL YOTSUYA Daiichi Tomizawa Building 3-1-3, Yotsuya Shinjuku-ku, Tokyo 1600004 (JP)
優先権情報:
2007-095271 30.03.2007 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING SYSTEM AND METHOD FOR USING SPUTTERING SYSTEM
(FR) SYSTÈME DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET PROCÉDÉ D'UTILISATION DU SYSTÈME DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタ処理装置およびスパッタ処理装置の使用方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a sputtering system by which the throughput can be enhanced while utilizing the resources effectively. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A pair of targets (105) inclining in chevron shape while spaced apart by a predetermined distance, and a magnetic field generation means (125) disposed closely to the back of each target are provided in the processing chamber (100) of a sputtering system (10). Under a state where different substrates (G) are arranged on the both sides (SL, SH) of the facing space (U) of the targets (105) by sliding movable stages (135a, 135b), the sputtering system (10) performs sputtering of the pair of targets (105) while generating a magnetic field by the magnetic field generation means (125). Thus films are simultaneously on the substrates (G) arranged on the both sides (SL, SH) of the facing space (U). The substrate (G) sputtered at the position on the narrowed side SL of the facing space (U) is carried to a carrying chamber (200) and sputtered again at the position on the widened side SH of the facing space (U).
(FR)L'invention vise à proposer un système de pulvérisation cathodique par lequel le débit peut être amélioré tout en utilisant les ressources de façon efficace. A cet effet, une paire de cibles (105), s'inclinant en une forme de chevron tout en étant espacées d'une distance prédéterminée, et un moyen de génération de champ magnétique (125), disposé près de l'arrière de chaque cible, sont disposés dans la chambre de traitement (100) d'un système de pulvérisation cathodique (10). Dans un état où différents substrats (G) sont disposés sur les deux côtés (SL, SH) de l'espace frontal (U) des cibles (105) par coulissement de platines mobiles (135a, 135b), le système de pulvérisation (10) effectue une pulvérisation cathodique de la paire de cibles (105) tout en générant un champ magnétique par le moyen de génération de champ magnétique (125). Les films sont ainsi simultanément sur les substrats (G) disposés sur les deux côtés (SL, SH) de l'espace frontal (U). Le substrat (G) pulvérisé de façon cathodique à la position sur le côté le plus rétréci SL de l'espace frontal (U) est transporté vers une chambre de transport (200) et à nouveau pulvérisé de façon cathodique à la position sur le côté élargi SH de l'espace frontal (U).
(JA)【課題】スループットの向上および資源の有効利用を図ることが可能なスパッタ処理装置を提供すること。 【解決手段】スパッタ処理装置10の処理室100には、所定の距離離れて八の字状に傾斜して配置された一対のターゲット105と、各ターゲットの背面近傍に設置された磁界発生手段125が設けられている。スパッタ処理装置10は、可動式ステージ135a、135bをスライド移動させることによりターゲット105の対向空間Uの両側方SL,SHに異なる基板Gを配置した状態にて、磁界発生手段125により磁界を発生させながら、一対のターゲット105をスパッタリングすることにより、対向空間Uの両側方SL、SHに配置された基板G上に同時に膜を形成する。対向空間Uの狭められた側方SL位置ににてスパッタリングされた基板Gは、搬送室200を搬送され、対向空間Uの広められた側方SH位置にて再度スパッタリングされる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)