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1. (WO2008126425) パターン形成方法および電子素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/126425    国際出願番号:    PCT/JP2008/050215
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 10.01.2008
IPC:
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H05K 3/20 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKUDA, Toshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NOMOTO, Akihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUKUDA, Toshio; (JP).
NOMOTO, Akihiro; (JP)
代理人: IWASAKI, Sachikuni; c/o Miyoshi International Patent Office Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2007-092178 30.03.2007 JP
発明の名称: (EN) PATTERNING METHOD AND METHOD FOR FABRICATING ELECTRONIC ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE CRÉATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法および電子素子の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for forming a minute and precise pattern stably and a method for fabricating an electronic element. The patterning method comprises a step for forming a conductive film (D) by coating a first plate (10) with a liquid constituent; a second step for forming a conductive pattern (D') on the first plate (10) by pressing a second plate (20) against the surface of the first plate (10) whereupon the conductive film (D) is formed, and by transferring the unnecessary pattern of the conductive film (D) to the top surface of the protrusions (20a) of the second plate (20) to remove the unnecessary pattern; and a step for transferring the conductive pattern (D') by pressing the surface of the first plate (10), on which the conductive pattern (D') is formed, against the surface of a substrate whereupon the pattern is to be transferred. The composition of the liquid constituent or the surface material of the first plate (10) or the second plate (20) is set to satisfy a relation of &ggr;>α≥β, assuming the surface tension on the surface of the first plate (10) to be coated with the liquid constituent is α, the dynamic surface tension of the liquid constituent at the time of 100 msec by greatest bubble pressure method is β, and the surface tension on the top surface of the protrusions (20a) in the second plate (20) is &ggr;. A method for fabricating an electronic element is also provided.
(FR)L'invention concerne un procédé de création d'un motif minuscule et précis de manière stable et un procédé de fabrication d'un élément électronique. Le procédé de création de motif comporte une étape de création d'un film conducteur (D) par revêtement d'une première plaque (10) par un constituant liquide ; une seconde étape de création d'un motif conducteur (D') sur la première plaque (10) par pression d'une seconde plaque (20) contre la surface de la première plaque (10) sur laquelle le film conducteur (D) est formé, et par transfert du motif inutile du film conducteur (D) sur la surface supérieure des saillies (20a) de la seconde plaque (20) pour éliminer le motif inutile ; et une étape de transfert du motif conducteur (D') par pression de la surface de la première plaque (10), sur laquelle le motif conducteur (D') est formé, contre la surface d'un substrat sur lequel le motif doit être transféré. La composition du constituant liquide ou du matériau de surface de la première plaque (10) ou de la seconde plaque (20) est fixée pour satisfaire une relation selon laquelle &ggr; > α ≥ β, en supposant que la tension superficielle sur la surface de la première plaque (10) devant être recouverte du constituant liquide est α, que la tension superficielle dynamique du constituant liquide au temps de 100 msec par la méthode de la pression maximale de bulle est β, et que la tension superficielle sur la surface supérieure des saillies (20a) dans la seconde plaque (20) est &ggr;. L'invention propose également un procédé de fabrication d'un élément électronique.
(JA) 微細で精密なパターンを安定して形成するパターン形成方法および電子素子の製造方法を提供する。第1版10上に液組成物を塗布して、導電性膜Dを形成する工程と、第2版20を第1版10の導電性膜Dの形成面側に押圧し、第2版20の凸部20aの頂面に、導電性膜Dの不要なパターンを転写して除去することで、第1版10上に導電性パターンD’を形成する工程と、第1版10の導電性パターンD’の形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、導電性パターンD’を転写する工程とを有し、第1版10における液組成物が塗布される表面の表面張力をα、最大泡圧法による100msec時の液組成物の動的表面張力をβ、第2版20における凸部20aの頂面の表面張力をγとした場合、γ>α≧βとなるように、液組成物の組成または第1版10もしくは第2版20の表面の材質を設定するパターン形成方法および電子素子の製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)