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World Intellectual Property Organization
1. (WO2008126268) 半導体装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/126268    国際出願番号:    PCT/JP2007/057156
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 30.03.2007
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
出願人: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1630722 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WATANABE, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MISAWA, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OTSUKA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WATANABE, Kenichi; (JP).
MISAWA, Nobuhiro; (JP).
OTSUKA, Satoshi; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku Tokyo 1506032 (JP)
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device comprising a substrate, a laminate including a multilayer interconnection structure formed on the substrate, a moisture-resistant ring extending continuously in the laminate to surround an element region where an active element is formed, and a protective trench formed on the outside of the moisture-resistant ring in the laminate continuously along the moisture-resistant ring in such a manner that the surface of the substrate is exposed. The laminate consists of a lamination of interlayer insulating films having a dielectric constant lower than that of an SiO2 film; the upper surface of the laminate and the sidewall face and the bottom surface of the protective trench are covered continuously with a protective film including at least a silicon nitride film excepting an electrode pad on the multilayer interconnection structure; and an interface film mainly composed of Si and C is formed between the protective film and the sidewall face of the protective trench.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat, un stratifié présentant une structure d'interconnexion multicouche formée sur le substrat, un anneau résistant à l'humidité s'étendant en continu dans le stratifié de manière à entourer une zone à élément dans laquelle un élément actif est formé, et une tranchée protectrice continue formée le long de l'extérieur de l'anneau résistant à l'humidité dans le stratifié, de façon à exposer la surface du substrat. Le stratifié est constitué d'une superposition de couches isolantes intermédiaires présentant une constante diélectrique inférieure à celle d'une couche de SiO2. La surface supérieure du stratifié, ainsi que la face latérale et la surface du fond de la tranchée protectrice sont recouverts d'une couche protectrice continue comprenant au moins une couche de nitrure de silicium, ne laissant découverte qu'une plage d'électrode sur la structure d'interconnexion multicouche, et une couche d'interface composée principalement de Si et de C est formée entre la couche protectrice et la face latérale de la tranchée protectrice.
(JA) 半導体装置は、基板と、前記基板上に形成され、多層配線構造を含む積層体と、前記積層体中に、活性素子が形成された素子領域を囲んで連続的に延在する耐湿リングと、前記積層体中、前記耐湿リングの外側に、前記耐湿リングに沿って連続的に、前記基板表面を露出するように形成された保護溝部と、を有し、前記積層体は、SiO2膜よりも低い比誘電率を有する層間絶縁膜の積層よりなり、前記積層体の上面、および前記保護溝部の側壁面および底面は、前記多層配線構造上の電極パッドを除き、少なくともシリコン窒化膜を含む保護膜により連続して覆われており、前記保護膜と前記保護溝部側壁面の間には、SiとCを主成分とする界面膜が形成されていることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)