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1. (WO2008126255) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/126255 国際出願番号: PCT/JP2007/057114
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 30.03.2007
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目7番1号 Tokyo 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722, JP (AllExceptUS)
肖 石琴 SHO, Sekikin [CN/JP]; JP (UsOnly)
池田 和人 IKEDA, Kazuto [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
肖 石琴 SHO, Sekikin; JP
池田 和人 IKEDA, Kazuto; JP
代理人:
北野 好人 KITANO, Yoshihito; 〒1600015 東京都新宿区大京町9番地 エクシード四谷2階 Tokyo Exceed Yotsuya 2nd Floor 9, Daikyo-cho, Shinjuku-ku Tokyo 1600015, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) A process comprising the steps of nitriding silicon substrate (10) with ammonia while heating the substrate; heating the resultant silicon substrate (10) in an atmosphere containing nitrogen and oxygen to thereby form gate insulating film (22) having a silicon insulating film containing nitrogen and oxygen; annealing the resultant silicon substrate (10) in an oxygen atmosphere; and forming gate electrode (24) on the gate insulating film (22). Accordingly, defects in the gate insulating film (22) and in the interface between the gate insulating film (22) and the silicon substrate (10) can be reduced, and without increasing of the effective thickness of the gate insulating film (22), there can be enhanced film quality and interface characteristics.
(FR) L'invention concerne un procédé comprenant les étapes de nitruration d'un substrat de silicium (10) avec de l'ammoniac tout en chauffant le substrat ; de chauffage du substrat de silicium résultant (10) dans une atmosphère contenant de l'azote et de l'oxygène pour ainsi former un film d'isolation de grille (22) ayant un film d'isolation de silicium contenant de l'azote et de l'oxygène ; de recuit du substrat de silicium résultant (10) dans une atmosphère d'oxygène ; et de formation d'une électrode de grille (24) sur le film d'isolation de grille (22). En conséquence, des défauts dans le film d'isolation de grille (22) et dans l'interface entre le film d'isolation de grille (22) et le substrat de silicium (10) peuvent être réduits, et sans l'augmentation de l'épaisseur effective du film d'isolation de grille (22), on peut obtenir des caractéristiques de qualité de film et d'interface améliorées.
(JA)  シリコン基板10を加熱しながらアンモニアで窒化する工程と、次いで、シリコン基板10を窒素と酸素を含む雰囲気中で加熱して、窒素と酸素を含むシリコン系絶縁膜を有するゲート絶縁膜22を形成する工程と、次いで、シリコン基板10を酸素雰囲気中でアニールする工程と、ゲート絶縁膜22上に、ゲート電極24を形成する工程とを有する。これにより、ゲート絶縁膜22とシリコン基板24の界面或いはゲート絶縁膜22中の欠陥を低減し、ゲート絶縁膜22の実効的な膜厚を増加することなく、膜質や界面特性を向上することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100022080