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1. (WO2008126206) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/126206    国際出願番号:    PCT/JP2007/056368
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 27.03.2007
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HANEDA, Masaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Noriyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUNAYAMA, Michie [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HANEDA, Masaki; (JP).
SHIMIZU, Noriyoshi; (JP).
SUNAYAMA, Michie; (JP)
代理人: YOKOYAMA, Junichi; c/o FUJITSU LIMITED, 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a process for producing semiconductor device, in which any metal mixed into Cu for forming of a Cu diffusion barrier film can be efficiently removed from Cu wiring. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] There is provided a process for producing a semiconductor device, comprising the steps of forming an interlayer insulating film on a substrate; providing the interlayer insulating film with an aperture; forming a layer of alloy containing manganese and copper so as to cover the internal face of the aperture; forming a first copper layer of material composed mainly of copper on the alloy layer so as to fill the aperture; formingon the first copper layer a second copper layer of material composed mainly of copper wherein the content of any of oxygen, carbon and nitrogen is higher than in the first copper layer; heating the substrate furnished with the second copper layer; and removing the second copper layer.
(FR)L'objet de l'invention est un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur, dans lequel tout métal mélangé dans le cuivre pour former une couche de barrière de diffusion en cuivre peut être efficacement extrait du câblage en cuivre. Le procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur comprend les étapes consistant à former une couche intercalaire isolante sur un substrat ; prévoir une ouverture dans la couche intercalaire isolante ; former une couche d'alliage contenant du manganèse et du cuivre de façon à couvrir la face interne de l'ouverture ; former une première couche de cuivre de matériau composé principalement de cuivre sur la couche d'alliage de façon à remplir l'ouverture ; former sur la première couche de cuivre une seconde couche de cuivre de matériau composé principalement de cuivre dont la teneur en oxygène, carbone et azote est supérieure à celle de la première couche de cuivre ; chauffer le substrat fourni avec la seconde couche de cuivre ; et enlever la seconde couche de cuivre.
(JA)(課題)Cu拡散バリア膜を形成するためにCu中に添加した金属を、Cu配線中から効率的に除去することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 (解決手段)基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部の内面を覆うように、マンガンと銅を含む合金層を形成する工程と、前記合金層上に、銅を主成分とする材料からなる第1の銅層を、前記開口部を埋めるように形成する工程と、前記第1の銅層上に、銅を主成分とする材料からなり、且つ、酸素、炭素又は窒素のいずれかの濃度が前記第1の銅層よりも高い第2の銅層を形成する工程と、前記第2の銅層が形成された基板を加熱する工程と、前記第2の銅層を除去する工程とを有する。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)