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1. (WO2008126206) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/126206 国際出願番号: PCT/JP2007/056368
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 27.03.2007
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
出願人:
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目7番1号 Tokyo 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722, JP (AllExceptUS)
羽根田 雅希 HANEDA, Masaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
清水 紀嘉 SHIMIZU, Noriyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
砂山 理江 SUNAYAMA, Michie [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
羽根田 雅希 HANEDA, Masaki; JP
清水 紀嘉 SHIMIZU, Noriyoshi; JP
砂山 理江 SUNAYAMA, Michie; JP
代理人:
横山 淳一 YOKOYAMA, Junichi; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 富士通株式会社内 Kanagawa c/o FUJITSU LIMITED, 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) [PROBLEMS] To provide a process for producing semiconductor device, in which any metal mixed into Cu for forming of a Cu diffusion barrier film can be efficiently removed from Cu wiring. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] There is provided a process for producing a semiconductor device, comprising the steps of forming an interlayer insulating film on a substrate; providing the interlayer insulating film with an aperture; forming a layer of alloy containing manganese and copper so as to cover the internal face of the aperture; forming a first copper layer of material composed mainly of copper on the alloy layer so as to fill the aperture; formingon the first copper layer a second copper layer of material composed mainly of copper wherein the content of any of oxygen, carbon and nitrogen is higher than in the first copper layer; heating the substrate furnished with the second copper layer; and removing the second copper layer.
(FR) L'objet de l'invention est un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur, dans lequel tout métal mélangé dans le cuivre pour former une couche de barrière de diffusion en cuivre peut être efficacement extrait du câblage en cuivre. Le procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur comprend les étapes consistant à former une couche intercalaire isolante sur un substrat ; prévoir une ouverture dans la couche intercalaire isolante ; former une couche d'alliage contenant du manganèse et du cuivre de façon à couvrir la face interne de l'ouverture ; former une première couche de cuivre de matériau composé principalement de cuivre sur la couche d'alliage de façon à remplir l'ouverture ; former sur la première couche de cuivre une seconde couche de cuivre de matériau composé principalement de cuivre dont la teneur en oxygène, carbone et azote est supérieure à celle de la première couche de cuivre ; chauffer le substrat fourni avec la seconde couche de cuivre ; et enlever la seconde couche de cuivre.
(JA) (課題)Cu拡散バリア膜を形成するためにCu中に添加した金属を、Cu配線中から効率的に除去することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 (解決手段)基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部の内面を覆うように、マンガンと銅を含む合金層を形成する工程と、前記合金層上に、銅を主成分とする材料からなる第1の銅層を、前記開口部を埋めるように形成する工程と、前記第1の銅層上に、銅を主成分とする材料からなり、且つ、酸素、炭素又は窒素のいずれかの濃度が前記第1の銅層よりも高い第2の銅層を形成する工程と、前記第2の銅層が形成された基板を加熱する工程と、前記第2の銅層を除去する工程とを有する。  
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP5141683