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1. (WO2008126160) 発振器および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/126160 国際出願番号: PCT/JP2007/054180
国際公開日: 23.10.2008 国際出願日: 05.03.2007
IPC:
H03B 5/12 (2006.01) ,H03B 5/32 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
B
振動の発生,直接のまたは周波数変換による振動の発生,スイッチング動作を行なわない能動素子を用いた回路による振動の発生;このような回路による雑音の発生
5
出力から入力への再生帰還による増幅器を用いた振動の発生
08
周波数決定素子が集中定数インダクタンスと集中定数キャパシタンスとからなるもの
12
増幅器の能動素子が半導体装置であるもの
H 電気
03
基本電子回路
B
振動の発生,直接のまたは周波数変換による振動の発生,スイッチング動作を行なわない能動素子を用いた回路による振動の発生;このような回路による雑音の発生
5
出力から入力への再生帰還による増幅器を用いた振動の発生
30
周波数決定素子が電気機械的振動子であるもの
32
圧電気振動子であるもの
出願人:
有限会社ニューロソリューション NEURO SOLUTION CORP. [JP/JP]; 〒1580091 東京都世田谷区中町5丁目4番7号 Tokyo 4-7, Nakamachi 5-chome, Setagaya-ku, Tokyo 1580091, JP (AllExceptUS)
宮城 弘 MIYAGI, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
宮城 弘 MIYAGI, Hiroshi; JP
代理人:
雨貝 正彦 AMAGAI, Masahiko; 〒1690073 東京都新宿区百人町3丁目3番10号 雨貝特許事務所 Tokyo Amagai Tokkyo Jimusyo 3-10, Hyakunin-cho 3-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1690073, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) OSCILLATOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) OSCILLATEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 発振器および半導体装置
要約:
(EN) Provided are an oscillator which can reduce distortion of an output waveform, and a semiconductor device. An oscillator (30) is provided with an N-channel type FET (31) wherein a drain is connected to a positive electrode side power supply line; a P-channel type FET (33) wherein a drain is connected to a negative electrode side power supply line and a source is connected to a source of the FET (31); first and second bias circuits for applying bias voltages to the FETs (31, 33), respectively; a capacitor (35) inserted between the gates of the FETs (31, 33) and the sources of the FETs (31, 33); a capacitor (36) inserted between a negative electrode side power supply line and the FETs (31, 33); and a crystal oscillator (52) wherein one end is connected to one end of the capacitor (35) that corresponds to the gate side of the FETs (31, 33), and the other end is connected to the negative electrode side power supply line.
(FR) L'invention concerne un oscillateur qui peut réduire la distorsion d'une forme d'onde de sortie, et un dispositif semi-conducteur. Un oscillateur (30) comporte un transistor à effet de champ FET de type à canal N (31) dans lequel un drain est connecté à une ligne d'alimentation électrique côté électrode positive ; un FET de type à canal P (33) dans lequel un drain est connecté à une ligne d'alimentation électrique côté électrode négative et une source est connectée à une source du FET (31) ; des premier et second circuits de polarisation pour appliquer des tensions de polarisation aux FET (31, 33), respectivement ; un condensateur (35) introduit entre les grilles des FET (31, 33) et les sources des FET (31, 33) ; un condensateur (36) introduit entre une ligne d'alimentation électrique côté électrode négative et les FET (31, 33) ; et un oscillateur à cristal (52) dans lequel une extrémité est connectée à une extrémité du condensateur (35) qui correspond au côté de grille des FET (31, 33), et l'autre extrémité est connectée à la ligne d'alimentation électrique côté électrode négative.
(JA)  出力波形の歪みを低減することができる発振器および半導体装置を提供することを目的とする。発振器30は、正極側電源ラインにドレインが接続されたNチャネル形のFET31と、負極側電源ラインにドレインが接続されているとともにソースがFET31のソースに接続されたPチャネル形のFET33と、FET31、33のそれぞれのゲートにバイアス電圧を印加する第1および第2のバイアス回路と、FET31、33のゲートのそれぞれとFET31、33のソースとの間に挿入されたキャパシタ35と、負極側電源ラインとFET31、33のソースとの間に挿入されたキャパシタ36と、一方端がFET31、33のゲート側に対応するキャパシタ35の一方端に接続され、他方端が負極側電源ラインに接続された水晶振動子52とを備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)