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1. (WO2008123548) FLOTOX型EEPROM
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123548 国際出願番号: PCT/JP2008/056584
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 02.04.2008
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01) ,G11C 16/02 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,H01L 27/115 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
8247
電気的にプログラムできるもの(EPROM)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
04
閾値が可変なトランジスタを用いるもの,例.FAMOS
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
112
リードオンリーメモリ構造
115
電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
788
浮遊ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
792
電荷トラッピングゲート絶縁体,例.MNOSメモリトランジスタ,を有するもの
出願人:
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
関口 勇士 SEKIGUCHI, Yushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
関口 勇士 SEKIGUCHI, Yushi; JP
代理人:
稲岡 耕作 INAOKA, Kosaku; 〒5410054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 あい特許事務所内 Osaka c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
優先権情報:
2007-09830104.04.2007JP
発明の名称: (EN) FLOTOX TYPE EEPROM
(FR) EEPROM DE TYPE FLOTOX
(JA) FLOTOX型EEPROM
要約:
(EN) FLOTOX type EEPROM comprising multiple aligned floating gates (11) each having tunnel window (12) and capable of electron injection and extraction through the tunnel window (12); multiple select gates (13) disposed in respective correspondence with the multiple floating gates (11); control gate (16) disposed so as to be shared by the multiple floating gates (11); source (17) disposed so as to be shared by the multiple floating gates (11); and drain (18) disposed so as to be shared by the multiple floating gates (11). Accordingly, satisfactorily high writing voltage can be applied without any drop of junction withstand voltage of the drain region. Further, a reduction of cell area can be attained.
(FR) La présente invention concerne une EEPROM de type FLOTOX comprenant de multiples grilles flottantes alignées (11) ayant chacune une fenêtre tunnel (12) et pouvant exécuter une injection et une extraction d'électrons à travers la fenêtre tunnel (12) ; de multiples grilles de sélection (13) disposées en correspondance respective avec les multiples grilles flottantes (11) ; une grille de commande (16) disposée de façon à être partagée par les multiples grilles flottantes (11) ; une source (17) disposée de façon à être partagée par les multiples grilles flottantes (11) ; et un drain (18) disposé de façon à être partagé par les multiples grilles flottantes (11). Il est par conséquent possible d'appliquer une haute tension d'écriture de manière satisfaisante, sans diminution de la tension de tenue de jonction de la région de drain. Il est en outre possible de parvenir à une réduction de la surface élémentaire d'analyse.
(JA)  この発明のFLOTOX型EEPROMは、トンネルウインドウ12を有し、トンネルウインドウ12を介して電子の注入、引き抜きを行える整列配置された複数のフローティングゲート11と、複数のフローティングゲート11に個別に対応付けて設けられた複数のセレクトゲート13と、複数のフローティングゲート11に共有に設けられたコントロールゲート16と、複数のフローティングゲート11に共有に設けられたソース17と、複数のフローティングゲート11に共有に設けられたドレイン18とを備えている。よって、ドレイン領域の接合耐圧を低下させることなく、十分に高い書き込み電圧を印加できる。また、セル面積を縮小できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2136397US20100149878