国際・国内特許データベース検索
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1. (WO2008123545) ZnO系薄膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123545 国際出願番号: PCT/JP2008/056566
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 02.04.2008
IPC:
C30B 29/16 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C30B 23/08 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
16
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
23
蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長
02
エピタキシャル層成長
08
イオン化蒸気の凝縮によるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
出願人:
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
中原 健 NAKAHARA, Ken [JP/JP]; JP (UsOnly)
湯地 洋行 YUJI, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
田村 謙太郎 TAMURA, Kentaro [JP/JP]; JP (UsOnly)
赤坂 俊輔 AKASAKA, Shunsuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
川崎 雅司 KAWASAKI, Masashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
大友 明 OHTOMO, Akira [JP/JP]; JP (UsOnly)
塚崎 敦 TSUKAZAKI, Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
中原 健 NAKAHARA, Ken; JP
湯地 洋行 YUJI, Hiroyuki; JP
田村 謙太郎 TAMURA, Kentaro; JP
赤坂 俊輔 AKASAKA, Shunsuke; JP
川崎 雅司 KAWASAKI, Masashi; JP
大友 明 OHTOMO, Akira; JP
塚崎 敦 TSUKAZAKI, Atsushi; JP
代理人:
三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門一丁目2番8号 虎ノ門琴平タワー Tokyo Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
2007-09881304.04.2007JP
2008-00147408.01.2008JP
発明の名称: (EN) ZnO THIN FILM
(FR) FILM MINCE DE ZnO
(JA) ZnO系薄膜
要約:
(EN) Provided is a p-type impurity doped ZnO thin film which can be applied to various devices. The acceptor concentration of a p-type dopant is set at 5x1020cm-3 or less by means of an MgXZn1-XO film (0≤X<0.5) which is formed on a substrate. When the acceptor concentration is over 5x1020cm-3, mixed crystal of a p-type impurity and a basic ZnO crystal is generated, and a high-quality ZnO thin film doped to be p-type is not obtained, which fact can be recognized through a change in ZnO secondary ion intensity.
(FR) L'invention concerne un film mince de ZnO dopé par une impurté de type p trouvant des applications dans des dispositifs variés. La concentration d'accepteur d'un dopant de type p est fixée pour être inférieure ou égale à 5x1020cm-3 à l'aide d'un film de MgXZn1-XO (0≤X<0,5) qui est formé sur un substrat. Lorsque la concentration d'accepteur est supérieure à 5x1020cm-3, du cristal mélangé d'impureté de type p et un cristal ZnO basique sont générés, et un film mince de ZnO de haute qualité dopé pour devenir de type p n'est pas obtenu. Cette transformation se remarque par un changement de l'intensité ionique secondaire de ZnO.
(JA)  様々なデバイスに適用できるp型不純物がドーピングされたZnO系薄膜を提供する。  基板上に形成されたMgZn1-XO膜(0≦X<0.5)で、p型ドーパントのアクセプタ濃度を、5×1020cm-3以下になるように形成する。アクセプタ濃度が、5×1020cm-3を超えてくると、p型不純物と母体となるZnO結晶との混晶化が発生し、p型にドーピングされた良質のZnO系薄膜とならない。これは、ZnO2次イオン強度に変化が見られることでわかる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20110033718