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World Intellectual Property Organization
1. (WO2008123545) ZnO系薄膜

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/123545    国際出願番号:    PCT/JP2008/056566
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 02.04.2008
C30B 29/16 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C30B 23/08 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YUJI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAMURA, Kentaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKASAKA, Shunsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWASAKI, Masashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHTOMO, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUKAZAKI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAHARA, Ken; (JP).
YUJI, Hiroyuki; (JP).
TAMURA, Kentaro; (JP).
AKASAKA, Shunsuke; (JP).
KAWASAKI, Masashi; (JP).
OHTOMO, Akira; (JP).
TSUKAZAKI, Atsushi; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
2007-098813 04.04.2007 JP
2008-001474 08.01.2008 JP
発明の名称: (EN) ZnO THIN FILM
(JA) ZnO系薄膜
要約: front page image
(EN)Provided is a p-type impurity doped ZnO thin film which can be applied to various devices. The acceptor concentration of a p-type dopant is set at 5x1020cm-3 or less by means of an MgXZn1-XO film (0≤X<0.5) which is formed on a substrate. When the acceptor concentration is over 5x1020cm-3, mixed crystal of a p-type impurity and a basic ZnO crystal is generated, and a high-quality ZnO thin film doped to be p-type is not obtained, which fact can be recognized through a change in ZnO secondary ion intensity.
(FR)L'invention concerne un film mince de ZnO dopé par une impurté de type p trouvant des applications dans des dispositifs variés. La concentration d'accepteur d'un dopant de type p est fixée pour être inférieure ou égale à 5x1020cm-3 à l'aide d'un film de MgXZn1-XO (0≤X<0,5) qui est formé sur un substrat. Lorsque la concentration d'accepteur est supérieure à 5x1020cm-3, du cristal mélangé d'impureté de type p et un cristal ZnO basique sont générés, et un film mince de ZnO de haute qualité dopé pour devenir de type p n'est pas obtenu. Cette transformation se remarque par un changement de l'intensité ionique secondaire de ZnO.
(JA) 様々なデバイスに適用できるp型不純物がドーピングされたZnO系薄膜を提供する。  基板上に形成されたMgZn1-XO膜(0≦X<0.5)で、p型ドーパントのアクセプタ濃度を、5×1020cm-3以下になるように形成する。アクセプタ濃度が、5×1020cm-3を超えてくると、p型不純物と母体となるZnO結晶との混晶化が発生し、p型にドーピングされた良質のZnO系薄膜とならない。これは、ZnO2次イオン強度に変化が見られることでわかる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)