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1. (WO2008123544) 酸化物薄膜及び酸化物薄膜デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123544 国際出願番号: PCT/JP2008/056563
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 02.04.2008
IPC:
H01L 21/363 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
出願人:
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
中原 健 NAKAHARA, Ken [JP/JP]; JP (UsOnly)
湯地 洋行 YUJI, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
田村 謙太郎 TAMURA, Kentaro [JP/JP]; JP (UsOnly)
赤坂 俊輔 AKASAKA, Shunsuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
川崎 雅司 KAWASAKI, Masashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
大友 明 OHTOMO, Akira [JP/JP]; JP (UsOnly)
塚崎 敦 TSUKAZAKI, Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
中原 健 NAKAHARA, Ken; JP
湯地 洋行 YUJI, Hiroyuki; JP
田村 謙太郎 TAMURA, Kentaro; JP
赤坂 俊輔 AKASAKA, Shunsuke; JP
川崎 雅司 KAWASAKI, Masashi; JP
大友 明 OHTOMO, Akira; JP
塚崎 敦 TSUKAZAKI, Atsushi; JP
代理人:
三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門一丁目2番8号 虎ノ門琴平タワー Tokyo Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
2007-09881504.04.2007JP
発明の名称: (EN) OXIDE THIN FILM AND OXIDE THIN FILM DEVICE
(FR) FILM MINCE D'OXYDE ET DISPOSITIF PRÉSENTANT UN FILM MINCE D'OXYDE
(JA) 酸化物薄膜及び酸化物薄膜デバイス
要約:
(EN) Provided are an oxide thin film, which is doped with an n-type impurity and is capable of forming a flat film, and an oxide thin film device. In an oxide thin film (2), as shown in Fig. 1(b), a doped oxide layer (2a) doped with an n-type (electron conductivity type) impurity and an undoped oxide layer (2b) not doped with an n-type impurity are alternately laminated repeatedly. Since roughness of the surface of the oxide layer increases when the oxide layer is doped with the n-type impurity at a high concentration, to form the flat oxide thin film, the oxide layer is covered with the undoped oxide layer (2b), which ensures surface flatness, before the surface roughness extremely increases due to the doped oxide layer (2a).
(FR) L'invention concerne un film mince d'oxyde qui est dopé à l'aide d'une impureté de type n permettant de former un film plat, et un dispositif présentant un film mince d'oxyde. Dans un film mince d'oxyde de l'invention (2), voir Fig.1 (b), une couche d'oxyde dopé (2a) à l'aide d'une impureté (telle qu'une impureté présentant une conductivité électronique) de type n et une couche d'oxyde non dopé (2b) à l'aide d'une impureté de type n sont répétitivement stratifiées de manière alternée. Comme la rugosité de la surface de la couche d'oxyde augmente lorsque la couche d'oxyde est dopée à l'aide d'une impureté de type n à haute concentration pour former le film mince d'oxyde plat, la couche d'oxyde est recouverte d'une couche d'oxyde non dopé (2b) afin d'assurer l'obtention d'une surface plate avant que la rugosité de surface n'augmente de manière extrême en raison de la couche d'oxyde dopé (2a).
(JA)  n型不純物がドーピングされるとともに、平坦な膜を形成することができる酸化物薄膜及び酸化物薄膜デバイスを提供する。  酸化物薄膜2は、図1(b)に示されるように、n型(電子伝導型)不純物をドーピングしたドープ酸化物層2aと、n型不純物をドーピングしないアンドープ酸化物層2bとが交互に繰り返し積層されている。n型不純物を高濃度にドーピングした酸化物層は、その表面の荒れが大きくなるので、ドープ酸化物層2aによる表面荒れが非常に大きくなる前に、表面平坦を確保できるアンドープ酸化物層2bで覆うことにより平坦な酸化物薄膜を形成することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100090214