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1. (WO2008123488) 半導体素子の放熱器及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123488 国際出願番号: PCT/JP2008/056288
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 31.03.2008
IPC:
H01L 23/36 (2006.01) ,H05K 7/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
7
異なる型の電気装置に共通の構造的細部
20
冷却,換気または加熱を容易にするための変形
出願人:
水谷電機工業株式会社 MIZUTANI ELECTRIC IND.CO., LTD. [JP/JP]; 〒1010021 東京都千代田区外神田4丁目9番8号 Tokyo 9-8, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021, JP (AllExceptUS)
小山 卓巳 KOYAMA, Takumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉村 正 YOSHIMURA, Tadashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
渡辺 陽介 WATANABE, Yousuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
宮本 三也 MIYAMOTO, Mitsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
小山 卓巳 KOYAMA, Takumi; JP
吉村 正 YOSHIMURA, Tadashi; JP
渡辺 陽介 WATANABE, Yousuke; JP
宮本 三也 MIYAMOTO, Mitsuya; JP
代理人:
磯野 道造 ISONO, Michizo; 〒1020093 東京都千代田区平河町2丁目7番4号 砂防会館別館内 磯野国際特許商標事務所気付 Tokyo c/o Isono International Patent Office Sabo Kaikan Annex, 7-4, Hirakawa-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020093, JP
優先権情報:
2007-09185530.03.2007JP
発明の名称: (EN) RADIATOR FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) RADIATEUR POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体素子の放熱器及びその製造方法
要約:
(EN) A radiator for a semiconductor device and a method of producing the radiator. The radiator (1A) is composed mainly of a support base plate (10) and radiation fins (20). The support base plate (10) has fixation grooves (13) in its upper surface (11). Projections (14) are formed in the fixation grooves (13). Further, the radiator (1A) has first bent sections (15a) and second bent sections (15b) (fin fixation section) formed by pressing the projections (14). A second section (25) to be fixed of one radiation fin (20) is fixed by a first bent section (15a) to a fixation groove (13), and a first section (24') to be fixed of another radiation fin (20') is fixed by a second bent section (15b) to a fixation groove (13). The method of producing the radiator (1A) includes a base plate production step, a fin forming step, and a fixation step. The radiator is produced using a reduced number of parts, has a simple structure, and is of low cost.
(FR) La présente invention porte sur un radiateur pour un dispositif à semi-conducteurs et sur un dispositif de fabrication du radiateur. Le radiateur (1A) est composé surtout d'une plaque de base de support (10) et d'ailettes de radiation (20). La plaque de base de support (10) comporte des rainures de fixation (13) sur sa surface supérieure (11). Des saillies (14) sont formées dans les rainures de fixation (13). En outre, le radiateur (1A) comprend des premières parties pliées (15a) et des secondes parties pliées (15b) (partie de fixation d'ailette) formées en pressant les saillies (14). Une seconde partie (25) à fixer d'une première ailette de radiation (20) est fixée par une première partie pliée (15a) à une rainure de fixation (13) et une première partie (24') à fixer d'une autre ailette de radiation (20') est fixée par une seconde partie pliée (15b) à une rainure de fixation (13). Le procédé de fabrication du radiateur (1A) comprend une étape de fabrication de plaque de base, une étape de formation d'ailette et une étape de fixation. Le radiateur est fabriqué à l'aide d'un nombre réduit de pièces, a une structure simple et a un faible coût.
(JA)  放熱器1Aは、支持基板10と複数の放熱フィン20と、を主に有する。支持基板10は、上面部11側に固定溝13を複数本有する。固定溝13には、突起14が複数本凸設される。放熱器1Aは、突起14を押圧してなる第1曲折部15aと第2曲折部15b(フィン固定部)を有し、第1曲折部15aにより、一の放熱フィン20の第2被固定部25を固定溝13に固定し、第2曲折部15bにより、他の放熱フィン20´の第1被固定部24´を固定溝13に固定している。放熱器1Aの製造方法は、基板製造段階と、フィン成形段階と、固定段階とを含む。本発明によれば、部品点数が少なく、簡易な構成で安価に製造できる半導体素子の放熱器及びその製造方法を提供することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2008123488JP5368973