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1. (WO2008123441) 多結晶薄膜とその製造方法及び酸化物超電導導体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/123441    国際出願番号:    PCT/JP2008/056160
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
C30B 29/22 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01B 12/06 (2006.01), H01L 39/24 (2006.01)
出願人: Fujikura Ltd. [JP/JP]; 5-1, Kiba 1-chome, Kohtoh-ku, Tokyo 1358512 (JP) (米国を除く全ての指定国).
International Superconductivity Technology Center [JP/JP]; 10-13, Shinonome 1-chome, Koto-ku, Tokyo 1350062 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IIJIMA, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HANYU, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IIJIMA, Yasuhiro; (JP).
HANYU, Satoru; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2007-089479 29.03.2007 JP
2007-285452 01.11.2007 JP
発明の名称: (EN) POLYCRYSTALLINE THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND OXIDE SUPERCONDUCTOR
(FR) FILM MINCE POLYCRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET OXYDE SUPRACONDUCTEUR
(JA) 多結晶薄膜とその製造方法及び酸化物超電導導体
要約: front page image
(EN)A polycrystalline thin film in which warpage of a substrate due to internal stress of the film is prevented by employing a thin film intermediate layer while maintaining good crystal orientation. The polycrystalline thin film has an intermediate layer formed by laminating a first layer and a second layer sequentially on a metal base wherein the crystal structure of the first and second layers is rock salt structure and fluorite structure, respectively.
(FR)L'invention concerne un film mince polycristallin dans lequel le gauchissement d'un substrat dû à une contrainte interne du film est empêché par l'emploi d'une couche intermédiaire de film mince tout en maintenant une bonne orientation cristalline. Le film mince polycristallin a une couche intermédiaire formée par lamination d'une première couche et d'une seconde couche de façon séquentielle sur un métal de base dans lequel les structures cristallines des première et seconde couches sont respectivement une structure de sel gemme et une structure de fluorite.
(JA)  良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止した多結晶薄膜を提供することを目的とし、本発明の多結晶薄膜は、金属基材上に順に、第一層と第二層を積層してなる中間層をなし、前記第一層と前記第二層の結晶構造はそれぞれ、岩塩構造と蛍石構造であることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)