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1. (WO2008123441) 多結晶薄膜とその製造方法及び酸化物超電導導体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123441 国際出願番号: PCT/JP2008/056160
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
C30B 29/22 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01B 12/06 (2006.01) ,H01L 39/24 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
16
酸化物
22
複合酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
12
超電導またはハイパーコンダクティブの導体,ケーブルまたは伝送線路
02
それらの形によって特徴づけられるもの
06
基板上または芯上の導体膜または導線
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
39
超電導性またはハイパーコンダクティビティを利用する装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
24
39/00に分類されている装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
株式会社フジクラ Fujikura Ltd. [JP/JP]; 〒1358512 東京都江東区木場1丁目5番1号 Tokyo 5-1, Kiba 1-chome, Kohtoh-ku, Tokyo 1358512, JP (AllExceptUS)
財団法人国際超電導産業技術研究センター International Superconductivity Technology Center [JP/JP]; 〒1350062 東京都江東区東雲一丁目10番13号 Tokyo 10-13, Shinonome 1-chome, Koto-ku, Tokyo 1350062, JP (AllExceptUS)
飯島 康裕 IIJIMA, Yasuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
羽生 智 HANYU, Satoru [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
飯島 康裕 IIJIMA, Yasuhiro; JP
羽生 智 HANYU, Satoru; JP
代理人:
志賀 正武 SHIGA, Masatake; 〒1006620 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 Tokyo 1-9-2, Marunouchi Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
優先権情報:
2007-08947929.03.2007JP
2007-28545201.11.2007JP
発明の名称: (EN) POLYCRYSTALLINE THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND OXIDE SUPERCONDUCTOR
(FR) FILM MINCE POLYCRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET OXYDE SUPRACONDUCTEUR
(JA) 多結晶薄膜とその製造方法及び酸化物超電導導体
要約:
(EN) A polycrystalline thin film in which warpage of a substrate due to internal stress of the film is prevented by employing a thin film intermediate layer while maintaining good crystal orientation. The polycrystalline thin film has an intermediate layer formed by laminating a first layer and a second layer sequentially on a metal base wherein the crystal structure of the first and second layers is rock salt structure and fluorite structure, respectively.
(FR) L'invention concerne un film mince polycristallin dans lequel le gauchissement d'un substrat dû à une contrainte interne du film est empêché par l'emploi d'une couche intermédiaire de film mince tout en maintenant une bonne orientation cristalline. Le film mince polycristallin a une couche intermédiaire formée par lamination d'une première couche et d'une seconde couche de façon séquentielle sur un métal de base dans lequel les structures cristallines des première et seconde couches sont respectivement une structure de sel gemme et une structure de fluorite.
(JA)   良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止した多結晶薄膜を提供することを目的とし、本発明の多結晶薄膜は、金属基材上に順に、第一層と第二層を積層してなる中間層をなし、前記第一層と前記第二層の結晶構造はそれぞれ、岩塩構造と蛍石構造であることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2138611JP4359649CN101652505