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1. (WO2008123438) ドハティ増幅器用合成器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123438 国際出願番号: PCT/JP2008/056152
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
H03F 1/07 (2006.01) ,H01P 5/19 (2006.01) ,H03F 3/60 (2006.01) ,H03F 3/68 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
F
増幅器
1
増幅素子として電子管のみ,半導体装置のみまたは汎用素子のみを用いた増幅器の細部
02
能率を上げるための増幅器の変形,例.A級段で用いるもの,補助振動を用いるもの
04
電子管増幅器におけるもの
06
変調された無線周波の増幅の能率を上げるためのもの;変調器としても動作する増幅器の能率を上げるためのもの
07
ドハティ型増幅器
H 電気
01
基本的電気素子
P
導波管;導波管型の共振器,線路または他の装置
5
導波管型の結合装置
12
3個以上の端子をもつ結合装置
16
対結合装置,すなわち,他の端子と結合しない少なくとも1個の端子を持つ装置
19
接合形
H 電気
03
基本電子回路
F
増幅器
3
増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
60
結合回路網が分布定数をもつ増幅器,例.導波管共振器をもつもの
H 電気
03
基本電子回路
F
増幅器
3
増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
68
増幅器の組み合わせ,例.立体音用多チャネル増幅器
出願人:
双信電機株式会社 SOSHIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 〒3850021 長野県佐久市長土呂800-38 Nagano 800-38, Nagatoro, Saku-shi, Nagano 3850021, JP (AllExceptUS)
水間厚夫 MIZUMA, Atsuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
饗場正志 AIBA, Masashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
水間厚夫 MIZUMA, Atsuo; JP
饗場正志 AIBA, Masashi; JP
代理人:
千葉剛宏 CHIBA, Yoshihiro; 〒1510053 東京都渋谷区代々木2丁目1番1号 新宿マインズタワー 16階 Tokyo Shinjuku Maynds Tower 16F 1-1, Yoyogi 2-chome Shibuya-ku, Tokyo 1510053, JP
優先権情報:
2007-08765029.03.2007JP
発明の名称: (EN) SYNTHESIZER FOR DOHERTY AMPLIFIER
(FR) SYNTHÉTISEUR POUR AMPLIFICATEUR DE DOHERTY
(JA) ドハティ増幅器用合成器
要約:
(EN) A synthesizer (10) is constructed by constituting a first λ/4 line (L1) of a first strip line (46) and by constituting a second λ/4 line (L2) of a second strip line (50), so that it is formed into a chip shape (or a chip part) in a dielectric substrate (30). A first shield electrode (32a) is formed on the upper face (30x) of the dielectric substrate (30), and a second shield electrode (32b) is formed on the lower face (30y) of the dielectric substrate (30), so that the first λ/4 line (L1) and the second λ/4 line (L2) are formed between the first shield electrode (32a) and the second shield electrode (32b).
(FR) Un synthétiseur (10) est construit par la constitution d'une première ligne λ/4 (L1) d'une première ligne ruban (46) et par la constitution d'une seconde ligne λ/4 (L2) d'une seconde ligne ruban (50), de telle sorte qu'il est formé en forme de puce (ou d'une partie de puce) dans un substrat diélectrique (30). Une première électrode de protection (32a) est formée sur la face supérieure (30x) du substrat diélectrique (30), et une seconde électrode de protection (32b) est formée sur la face inférieure (30y) du substrat diélectrique (30), de telle sorte que la première ligne λ/4 (L1) et la seconde ligne λ/4 (L2) sont formées entre la première électrode de protection (32a) et la seconde électrode de protection (32b).
(JA)  合成器(10)は、第1λ/4線路(L1)を第1ストリップライン(46)にて構成し、第2λ/4線路(L2)を第2ストリップライン(50)にて構成し、さらに、誘電体基板(30)内に形成してチップ状(チップ部品)に構成する。誘電体基板(30)の上面(30x)に第1シールド電極(32a)を形成し、誘電体基板(30)の下面(30y)に第2シールド電極(32b)を形成し、第1λ/4線路(L1)と第2λ/4線路(L2)を第1シールド電極(32a)と第2シールド電極(32b)との間に形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100013521