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1. (WO2008123436) 電子材料用Cu-Ni-Si-Co系銅合金及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123436 国際出願番号: PCT/JP2008/056142
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
C22C 9/06 (2006.01) ,C22C 9/00 (2006.01) ,C22C 9/01 (2006.01) ,C22C 9/02 (2006.01) ,C22C 9/04 (2006.01) ,C22C 9/05 (2006.01) ,C22C 9/10 (2006.01) ,C22F 1/08 (2006.01) ,H01B 1/02 (2006.01) ,H01B 5/02 (2006.01) ,C22F 1/00 (2006.01)
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
06
次に多い成分としてニッケルまたはコバルトを含むもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
01
次に多い成分としてアルミニウムを含むもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
02
次に多い成分として錫を含むもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
04
次に多い成分として亜鉛を含むもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
05
次に多い成分としてマンガンを含むもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
10
次に多い成分としてけい素を含むもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
08
銅または銅基合金
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
1
導電材料によって特徴づけられる導体または導電物体;導体としての材料の選択
02
主として金属または合金からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
5
形を特徴とする非絶縁導体または導電物体
02
単一棒,棹,線または片;母線
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
出願人:
日鉱金属株式会社 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. [JP/JP]; 〒1050001 東京都港区虎ノ門二丁目10番1号 Tokyo 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP (AllExceptUS)
桑垣 寛 KUWAGAKI, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
桑垣 寛 KUWAGAKI, Hiroshi; JP
代理人:
アクシス国際特許業務法人 AXIS Patent International; 〒1030027 東京都中央区日本橋3丁目13番11号油脂工業会館 Tokyo Yushi Kogyo Kaikan 13-11, Nihonbashi 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030027, JP
優先権情報:
2007-09226930.03.2007JP
発明の名称: (EN) CU-NI-SI-CO-BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) ALLIAGE DE CUIVRE À BASE DE CU-NI-SI-CO POUR UN MATÉRIAU ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電子材料用Cu-Ni-Si-Co系銅合金及びその製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a Cu-Ni-Si-Co-based alloy reduced in the production of a coarse second phase particle. In the process for producing a Cu-Ni-Si-Co-based alloy; (1) the hot rolling is carried out after heating at 950 to 1050˚C for 1 hour or longer, and the hot rolling termination temperature is fixed at 850˚C or higher, and the cooling is carried out at a rate of 15˚C/s or more; and (2) the solution treatment is carried out at 850 to 1050˚C, and the cooling is carried out at a rate of 15˚C/s or more. Specifically disclosed is a copper alloy for an electronic material, which comprises 1.0 to 2.5 mass% of Ni, 0.5 to 2.5 mass% of Co and 0.30 to 1.20 mass% of Si, with the remainder being Cu and unavoidable impurities. The copper alloy contains no second phase particle having a particle diameter greater than 10 μm, and contains a second phase particle having a particle diameter of 5 to 10 μm at a density of 50 particles/mm2 or less in a cross-section parallel to the rolling direction.
(FR) L'invention porte sur un alliage à base de Cu-Ni-Si-Co présentant une production réduite de particules grossières de seconde phase. Dans le procédé de fabrication d'un alliage à base de Cu-Ni-Si-Co, (1) le laminage à chaud est effectué après chauffage à 950 à 1 050 ˚C pendant 1 heure ou plus, et la température d'achèvement du laminage à chaud est fixée à 850 ˚C ou plus, et le refroidissement est effectué à une allure de 15 ˚C/s ou plus ; et (2) le traitement de solution est effectué à 850 à 1 050 ˚C, et le refroidissement est effectué à une allure de 15 ˚C/s ou plus. De façon spécifique, l'invention porte sur un alliage de cuivre pour un matériau électronique, qui comprend 1,0 à 2,5 % en masse de Ni, 0,5 à 2,5 % en masse de Co et 0,30 à 1,20 % en masse de Si, le reste étant constitué par Cu et les impuretés inévitables. L'alliage de cuivre ne contient pas de particules de seconde phase ayant un diamètre de particule supérieur à 10 &mgr;m, et contient des particules de seconde phase ayant un diamètre de particule de 5 à 10 &mgr;m à une densité de 50 particules/mm2 ou moins dans une section transversale parallèle à la direction de laminage.
(JA)  粗大な第二相粒子の生成が抑制されたCu-Ni-Si-Co系合金を提供する。  Cu-Ni-Si-Co系合金の製造工程において、(1)熱間圧延は950°C~1050°Cで1時間以上加熱後に行い、熱間圧延終了時の温度を850°C以上とし、15°C/s以上で冷却し、且つ、(2)溶体化処理は850°C~1050°Cで行い、15°C/s以上で冷却すること。本発明によれば、Ni:1.0~2.5質量%、Co:0.5~2.5質量%、Si:0.30~1.20質量%を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる電子材料用銅合金であって、粒径が10μmを超える第二相粒子が存在せず、粒径が5μm~10μmである第二相粒子が圧延方向に平行な断面で50個/mm2以下である電子材料用銅合金が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090122303CN101646791