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1. (WO2008123433) 電子材料用Cu-Ni-Si系合金
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/123433    国際出願番号:    PCT/JP2008/056138
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
C22C 9/06 (2006.01), C22C 9/00 (2006.01), C22C 9/01 (2006.01), C22C 9/02 (2006.01), C22C 9/04 (2006.01), C22C 9/05 (2006.01), C22C 9/10 (2006.01), C22F 1/08 (2006.01), H01B 1/02 (2006.01), H01B 5/02 (2006.01), C22F 1/00 (2006.01), C22F 1/02 (2006.01)
出願人: Nippon Mining & Metals Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ERA, Naohiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ERA, Naohiko; (JP)
代理人: AXIS Patent International; Yushi Kogyo Kaikan 13-11, Nihonbashi 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030027 (JP)
優先権情報:
2007-094441 30.03.2007 JP
発明の名称: (EN) CU-NI-SI-BASED ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL
(FR) ALLIAGE À BASE DE CU-NI-SI POUR UN MATÉRIAU ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子材料用Cu-Ni-Si系合金
要約: front page image
(EN)Disclosed is a Corson alloy having dramatically improved properties (e.g., high strength and high conductivity) which are achieved by allowing the effect of the addition of Cr to a Cu-Ni-Si-based alloy to exhibit more effectively. Specifically disclosed is a copper alloy for an electronic material, which comprises 1.0 to 4.5 mass% of Ni, 0.50 to 1.2 mass% of Si, 0.0030 to 0.3 mass% of Cr (provided that the weight-based ratio of Ni to Si (i.e., a Ni/Si ratio) by weight is as follows: 3 ≤ Ni/Si ≤ 5.5), with the remainder being Cu and unavoidable impurities. In the copper alloy, a Cr-Si compound having a size of 0.1 to 5 μm (inclusive) is dispersed in the material at a dispersion density of 1 × 106 particles/mm2 or less, wherein the atom-based ratio of the concentration of Cr to that of Si in the dispersed particle is 1 to 5.
(FR)L'invention porte sur un alliage de Corson ayant des propriétés améliorées de façon spectaculaire (par exemple résistance élevée et conductivité élevée) que l'on obtient en amenant l'effet de l'addition de Cr à un alliage à base de Cu-Ni-Si à se manifester de façon très efficace. De façon spécifique, l'invention porte sur un alliage de cuivre pour un matériau électronique, qui comprend 1,0 à 4,5 % en masse de Ni, 0,50 à 1,2 % en masse de Si, 0,0030 à 0,3 % en masse de Cr (à la condition que le rapport sur une base pondérale de Ni à Si (à savoir un rapport Ni/Si) en poids soit le suivant : 3 ≤ Ni/Si ≤ 5,5), le reste étant constitué par Cu et les impuretés inévitables. Dans l'alliage de cuivre, un composé Cr-Si ayant une dimension de 0,1 à 5 µm (inclus) est dispersé dans le matériau à une densité de dispersion de 1 × 106 particules/mm2 ou moins, le rapport sur une base atomique de la concentration de Cr à celle de Si dans les particules dispersées étant de 1 à 5.
(JA) 本発明の課題は、Cu-Ni-Si系合金においてCr添加の効果をより良く発揮させることで飛躍的に特性の向上即ち、高強度・高導電性のコルソン系合金を提供することである。  Ni:1.0~4.5質量%、Si:0.50~1.2質量%、Cr:0.0030~0.3質量%を含有し(但し、NiとSiの重量比が3≦Ni/Si≦5.5である。)、残部Cuおよび不可避的不純物から構成される銅合金であって、材料中に分散する大きさが0.1μm以上5μm以下のCr-Si化合物について、その分散粒子中のSiに対するCrの原子濃度比が1~5であって、その分散密度が1×106個/mm2以下である電子材料用銅合金。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)