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1. (WO2008123431) プラズマ酸化処理方法、プラズマ処理装置、及び、記憶媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123431 国際出願番号: PCT/JP2008/056134
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/76 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
76
構成部品間の分離領域の形成
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
壁 義郎 KABE, Yoshiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
小林 岳志 KOBAYASHI, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
塩澤 俊彦 SHIOZAWA, Toshihiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
北川 淳一 KITAGAWA, Junichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
壁 義郎 KABE, Yoshiro; JP
小林 岳志 KOBAYASHI, Takashi; JP
塩澤 俊彦 SHIOZAWA, Toshihiko; JP
北川 淳一 KITAGAWA, Junichi; JP
代理人:
高山 宏志 TAKAYAMA, Hiroshi; 〒1020093 東京都千代田区平河町一丁目7番20号 平河町辻田ビル2階 Tokyo Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F 1-7-20 Hirakawacho Chiyoda-ku, Tokyo 1020093, JP
優先権情報:
2007-09170030.03.2007JP
発明の名称: (EN) PLASMA OXIDATION METHOD, PLASMA PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ D'OXYDATION AU PLASMA, APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) プラズマ酸化処理方法、プラズマ処理装置、及び、記憶媒体
要約:
(EN) A silicon oxide film is formed in a processing chamber of a plasma processing apparatus by performing oxidation process to a body, which is to be processed and has an uneven pattern, by using plasma. The film is formed by plasma by applying high frequency power to a placing table whereupon the body to be processed is placed, under the conditions where the ratio of oxygen in a processing gas is 0.5% or more but not more than 10% and a processing pressure within a range of 1.3-665Pa.
(FR) Un film d'oxyde de silicium est formé dans une chambre de traitement d'un appareil de traitement au plasma par la réalisation d'un procédé d'oxydation à un corps, qui doit être traité et a un motif non régulier, à l'aide du plasma. Le film est formé par plasma par application d'une puissance haute fréquence à une table de placement sur laquelle le corps devant être traité est placé, dans les conditions où la proportion d'oxygène dans un gaz de traitement est de 0,5 % ou plus mais de pas plus de 10 % et une pression de traitement se trouve dans une plage de 1,3-665 Pa.
(JA)  プラズマ処理装置の処理室内で、凹凸パターンを有する被処理体にプラズマによる酸化処理を施してシリコン酸化膜を形成するにあたり、処理ガス中の酸素の割合が0.5%以上10%未満で、かつ処理圧力が1.3~665Paの条件で、被処理体を載置する載置台に高周波電力を印加しながらプラズマ形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090126280US20100136797CN101652842