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1. (WO2008123420) 酸化インジウム系透明導電膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123420 国際出願番号: PCT/JP2008/056104
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
H01B 13/00 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13
導体またはケーブルを製造するために特に使用する装置または方法
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
出願人:
三井金属鉱業株式会社 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 〒1418584 東京都品川区大崎一丁目11番1号 Tokyo 1-11-1, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584, JP (AllExceptUS)
高橋 誠一郎 TAKAHASHI, Seiichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
宮下 徳彦 MIYASHITA, Norihiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
高橋 誠一郎 TAKAHASHI, Seiichiro; JP
宮下 徳彦 MIYASHITA, Norihiko; JP
代理人:
栗原浩之 KURIHARA, Hiroyuki; 〒1500012 東京都渋谷区広尾1丁目3番15号 岩崎ビル6階 栗原国際特許事務所 Tokyo Kurihara International Patent Office Iwasaki Bldg. 6F 3-15, Hiroo 1-chome, Shibuya-ku Tokyo 1500012, JP
優先権情報:
2007-09578230.03.2007JP
2007-26043703.10.2007JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING INDIUM OXIDE-TYPE TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT DE TYPE À OXYDE D'INDIUM
(JA) 酸化インジウム系透明導電膜の製造方法
要約:
(EN) This invention provides a process for producing an indium oxide-type transparent electroconductive film which is an amorphous film, can easily be patterned by etching with a weak acid, has low resistance and high transmittance, and further can easily be crystallized. The production process comprises the step of, regarding a sputtering target containing indium oxide and an addition element, confirming that an amorphous film can be formed at a predetermined film forming temperature and the amorphous film can be then crystallized by annealing at a predetermined annealing temperature, the step of determining, as a film forming oxygen partial pressure, an oxygen partial pressure which is different from an optimal oxygen partial pressure defined as an oxygen partial pressure capable of providing the lowest resistivity of the amorphous film formed at the predetermined film forming temperature and can provide the lowest resistivity of the film crystallized by annealing at the predetermined annealing temperature, the step of forming an amorphous film by sputtering at the film forming oxygen partial pressure, and the step of annealing the amorphous film at the predetermined annealing temperature for crystallization to form an indium oxide-type transparent electroconductive film.
(FR) Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un film électroconducteur transparent de type à oxyde d'indium qui est un film amorphe, peut facilement se voir former des motifs par gravure avec un acide faible, a une faible résistance et une transmittance élevée, et peut en outre être facilement cristallisé. Le procédé de fabrication comprend l'étape, concernant une cible de pulvérisation contenant un oxyde d'indium et un élément d'addition, de confirmation qu'un film amorphe peut être formé à une température de formation de film prédéterminée et le film amorphe peut ensuite être cristallisé par recuit à une température de recuit prédéterminée, l'étape de détermination, en tant que pression partielle d'oxygène de formation de film, d'une pression partielle d'oxygène qui est différente d'une pression partielle d'oxygène optimale définie en tant que pression partielle d'oxygène capable de fournir la résistivité la plus faible du film amorphe formé à la température de formation de film prédéterminée et peut fournir la résistivité la plus faible du film cristallisé par recuit à la température de recuit prédéterminée, l'étape de formation d'un film amorphe par pulvérisation à la pression partielle d'oxygène de formation de film, et l'étape de recuit du film amorphe à la température de recuit prédéterminée, pour une cristallisation pour former un film électroconducteur transparent de type à oxyde d'indium.
(JA)  アモルファス膜で弱酸エッチングにより容易にパターニングでき、さらに低抵抗で且つ透過率が高くまたさらに容易に結晶化できる酸化インジウム系透明導電膜の製造方法を提供する。  酸化インジウムと添加元素とを含有するスパッタリングターゲットについて、所定の成膜温度でアモルファス膜を成膜でき、その後、所定のアニール温度でアニールすることにより前記アモルファス膜を結晶化できることを確認する工程と、前記所定の成膜温度で成膜したアモルファス膜の抵抗率が最も低くなる酸素分圧である最適酸素分圧とは異なり、前記所定のアニール温度でアニールして結晶化させた膜の抵抗率が最も低くなる酸素分圧を求めて成膜酸素分圧とする工程と、この成膜酸素分圧でスパッタリングすることによりアモルファス膜を成膜する工程と、このアモルファス膜を前記所定のアニール温度でアニールすることにより結晶化させて酸化インジウム系透明導電膜とする工程とを具備する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090127357US20110011731