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1. (WO2008123373) コロイダルシリカ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123373 国際出願番号: PCT/JP2008/055943
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 27.03.2008
IPC:
C01B 33/141 (2006.01) ,B24B 37/00 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
33
けい素;その化合物
113
酸化けい素;その水和物
12
シリカ;その水和物,例.うろこ状けい酸
14
コロイド状シリカ,例.ディスパージョン,ゲル,ゾル
141
ヒドロゾルまたは水性ディスパージョンの製造
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
扶桑化学工業株式会社 FUSO CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5410043 大阪府大阪市中央区高麗橋4丁目3番10号 Osaka 3-10, Koraibashi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410043, JP (AllExceptUS)
樋口 一明 HIGUCHI, Kazuaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
樋口 一明 HIGUCHI, Kazuaki; JP
代理人:
三枝 英二 SAEGUSA, Eiji; 〒5410045 大阪府大阪市中央区道修町1-7-1 北浜TNKビル Osaka Kitahama TNK Building 1-7-1, Doshomachi Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410045, JP
優先権情報:
2007-08215927.03.2007JP
発明の名称: (EN) COLLOIDAL SILICA, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) SILICE COLLOÏDALE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) コロイダルシリカ及びその製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a silica particle which is dense and contains metal impurities in less quantities. Specifically disclosed is a colloidal silica produced by using an alkyl silicate as a raw material. When a sample is prepared by adding 1% by weight of polydimethylsilane (as an internal standard) to a dried product of the colloidal silica and solid-state 29Si-CP/MAS-NMR spectra are measured on the sample, a peak area ratio as calculated in accordance with the formula: (a peak area for the colloidal silica)/(a peak area for polydimethylsilane) is 15 or less. Also disclosed is a method for producing the colloidal silica.
(FR) L'invention porte sur une particule de silice qui est dense et qui contient des impuretés métalliques en petites quantités. De façon précise, l'invention porte sur une silice colloïdale obtenue à l'aide d'un silicate d'alkyle comme matière première. Lorsqu'un échantillon est préparé par addition de 1 % en poids de polydiméthylsilane (comme étalon interne) à un produit séché de la silice colloïdale et que des spectres de 29Si-CP/MAS-RMN à l'état solide sont mesurés sur l'échantillon, un rapport de surface de pic, tel que calculé selon la formule : (aire de pic pour la silice colloïdale)/(aire de pic pour le polydiméthylsilane) est de 15 ou moins. L'invention porte également sur un procédé de fabrication de la silice colloïdale.
(JA)  本発明は、金属不純物がより少なくかつ緻密なシリカ粒子を提供する。  本発明は、具体的には、ケイ酸アルキルを原料として得られるコロイダルシリカであって、前記コロイダルシリカの乾固物に対して内部標準としてポリジメチルシラン1重量%を添加した試料において、固体29Si-CP/MAS-NMRスペクトルを測定した場合におけるコロイダルシリカピーク面積/ポリジメチルシランピーク面積の計算式で求められるピーク面積値が15以下であることを特徴とするコロイダルシリカ及びその製造方法を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020100015926US20100071272CN101641288