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1. (WO2008123321) 強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123321 国際出願番号: PCT/JP2008/055769
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 26.03.2008
IPC:
H01L 29/82 (2006.01) ,C22C 19/07 (2006.01) ,C22C 30/00 (2006.01) ,H01F 10/12 (2006.01) ,H01F 41/22 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
19
ニッケルまたはコバルトを基とする合金
07
コバルトを基とする合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
30
各成分を50重量%未満含有する合金
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10
磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
08
磁性体層によって特徴づけられたもの
10
組成によって特徴づけられたもの
12
金属または合金
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
41
このサブクラスに包含される装置の製造または組立に特に適合した装置または工程
14
基体に磁性膜を適用するためのもの
22
熱処理;熱分解;化学蒸着(CVD)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
国立大学法人東京工業大学 Tokyo Institute of Technology [JP/JP]; 〒1528550 東京都目黒区大岡山2-12-1 Tokyo 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550, JP (AllExceptUS)
菅原聡 SUGAHARA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
高村陽太 TAKAMURA, Yota [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
菅原聡 SUGAHARA, Satoshi; JP
高村陽太 TAKAMURA, Yota; JP
代理人:
片山修平 KATAYAMA, Shuhei; 〒1040031 東京都中央区京橋1-6-1 三井住友海上テプコビル Tokyo Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building 6-1, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
優先権情報:
2007-07892526.03.2007JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING FERROMAGNETIC BODY, TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN CORPS FERROMAGNÉTIQUE, TRANSISTOR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU TRANSISTOR
(JA) 強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法
要約:
(EN) A method for forming a ferromagnetic body is provided. The method is provided with a step of forming a magnetic element layer (20) on a semiconductor layer (16) formed on a reaction suppressing layer (14); and a step of forming a ferromagnetic layer, i.e., a Heusler alloy layer (26), on the reaction suppressing layer (14), by performing heat treatment to the semiconductor layer (16) and the magnetic element layer (20) and having the layers react to each other. A transistor and a method for manufacturing the transistor are also provided. A semiconductor to be supplied for reaction between the semiconductor and the magnetic element is limited by the reaction suppressing layer which suppresses reaction between the semiconductor layer and the magnetic element layer, and the ferromagnetic body having high relative proportions of the magnetic element can be formed.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un corps ferromagnétique. Le procédé comporte une étape de formation d'une couche d'élément magnétique (20) sur une couche semi-conductrice (16) formée sur une couche de suppression de réaction (14) ; et une étape de formation d'une couche ferromagnétique, à savoir, une couche d'alliage de Heusler (26), sur la couche de suppression de réaction (14), par la réalisation d'un traitement thermique sur la couche semi-conductrice (16) et la couche d'élément magnétique (20) et ayant les couches amenées à réagir entre elles. L'invention concerne également un transistor et un procédé de fabrication du transistor. Un semi-conducteur devant être fourni pour une réaction entre le semi-conducteur et l'élément magnétique est limité par la couche de suppression de réaction qui supprime une réaction entre la couche de semi-conducteur et la couche d'élément magnétique, et le corps ferromagnétique ayant des proportions relatives élevées de l'élément magnétique peut être formé.
(JA)  本発明は、反応抑制層14上に形成された半導体層16上に磁性元素層20を形成する工程と、半導体層16と磁性元素層20とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層14上にホイスラー合金層26である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100171158