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1. (WO2008123319) 有機EL素子および有機EL素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/123319    国際出願番号:    PCT/JP2008/055767
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 26.03.2008
IPC:
H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OGAWA, Hiromitsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OGAWA, Hiromitsu; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg. 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2007-087980 29.03.2007 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC EL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC EL DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 有機EL素子および有機EL素子の製造方法
要約: front page image
(EN)After forming a layer made of an electron accepting material and a layer made of a hole transporting material on a lower electrode (12) which serves as an anode formed on a substrate (11), the multilayer structure is heated at a temperature within the range from a temperature lower by 30˚C than the glass transition temperature of the hole transporting material to a temperature higher by 200˚C than the glass transition temperature of the hole transporting material. Consequently, an oxidation-reduction reaction is caused between the electron accepting material and the hole transporting material, thereby forming an interface region (13c) containing a charge transfer complex between an electron accepting layer (13a) and a hole transporting layer (13b). After that, a light-emitting layer (14) and an upper electrode (15), which serves as a cathode, are sequentially formed.
(FR)Selon l'invention, après formation d'une couche faite d'un matériau acceptant les électrons et d'une couche faite d'un matériau de transport de trous sur une électrode inférieure (12) qui sert d'anode formée sur un substrat (11), la structure multicouche est chauffée à une température dans l'intervalle allant d'une température inférieure de 30°C par rapport à la température de transition vitreuse du matériau de transport de trous à une température supérieure de 200°C par rapport à la température de transition vitreuse du matériau de transport de trous. Par conséquent, une réaction d'oxydation/réduction est provoquée entre le matériau acceptant les électrons et le matériau de transport de trous, formant ainsi une région d'interface (13c) contenant un complexe de transfert de charge entre une couche d'acceptation d'électrons (13a ) et une couche de transport de trous (13b). Après cela, une couche émettant de la lumière (14) et une électrode supérieure (15) qui sert de cathode sont formées de manière séquentielle.
(JA) 基板11上に形成した陽極である下部電極12の上に、電子受容材料からなる層と、ホール輸送材料からなる層とを積層形成した後、積層構造体を、ホール輸送材料のガラス転移温度より30°C低い温度から、ホール輸送材料のガラス転移温度より200°C高い温度の範囲で加熱する。これにより、電子受容材料とホール輸送材料との酸化還元反応を生じさせて、電子受容層13aとホール輸送層13bの間に、電荷移動錯体を含む界面領域13cを生成させる。その後、発光層14と陰極である上部電極15とを順次形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)