国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2008123300) プラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123300 国際出願番号: PCT/JP2008/055707
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 26.03.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/505 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
505
高周波放電によるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
三井造船株式会社 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. [JP/JP]; 〒1048439 東京都中央区築地5丁目6番4号 Tokyo 6-4, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048439, JP (AllExceptUS)
橘 弘幸 TACHIBANA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
森 康成 MORI, Yasunari [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
橘 弘幸 TACHIBANA, Hiroyuki; JP
森 康成 MORI, Yasunari; JP
代理人:
グローバル・アイピー東京特許業務法人 GLOBAL IP TOKYO; 〒1600023 東京都新宿区西新宿8丁目3番30号カーメルⅡ Tokyo CARMEL II, 8-3-30 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku Tokyo 1600023, JP
優先権情報:
2007-09184430.03.2007JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約:
(EN) A plasma processing apparatus is provided with a plasma generating section which generates plasma by using an antenna array wherein a plurality of antenna elements, each of which is composed of a bar-like conductor whose surface is coated with a dielectric material, are arranged at prescribed intervals; and a gas radiating section, which is arranged to cover the plasma generating section and has a gas radiating plate arranged above the antenna array. When the antenna element and the radiating plate are viewed from a direction vertical to the surface of the substrate to be processed, a plurality of gas discharge ports opened to the plasma generating section are formed on the radiating plate in a first region that matches with a region between the antenna elements of the plasma generating section, and the gas discharge port is not formed in a second region that matches with the region where the antenna element is positioned. Thus, even when a film forming area is large, film forming speed can be improved, generation of particles is suppressed and films having excellent uniformity in qualities and thickness can be formed.
(FR) L'appareil de traitement par plasma selon l'invention comprend une section de génération de plasma qui génère du plasma à l'aide d'un alignement d'antennes dans lequel une pluralité d'éléments formant antennes, chacun étant composé d'un conducteur de type barreau dont la surface est recouverte d'un matériau diélectrique, sont disposés à des intervalles prescrits ; et une section de propagation de gaz qui est disposée de façon à recouvrir la section de génération de plasma et possède une plaque de propagation de gaz disposée au-dessus de l'alignement d'antennes. Comme le montrent l'élément formant antenne et la plaque de propagation observés à partir d'une direction verticale à la surface du substrat à traiter, une pluralité d'orifices de décharge de gaz s'ouvrant vers la section de génération de plasma est formée sur la plaque de propagation dans une première région qui correspond à une région entre les éléments formant antennes de la section de génération de plasma, et aucun orifice de décharge de gaz n'est formé dans une seconde région qui correspond à la région dans laquelle est positionné l'élément formant antenne. De ce fait, même dans le cas d'une grande zone de formation de film, la vitesse de formation de film peut être améliorée, la génération de particules est supprimée et il est possible de former des films présentant une excellente uniformité d'épaisseur et de qualités.
(JA)  本発明のプラズマ処理装置は、誘電体で表面が覆われた棒状の導体で構成したアンテナ素子が複数所定の間隙をあけて配列されてなるアンテナアレイを用いてプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ生成部を覆うように設けられ、前記アンテナアレイの上方に設けられたガス放射板を備えるガス放射部と、を有する。前記アンテナ素子及び前記放射板を、処理対象基板の表面に対して垂直な方向からみたとき、前記放射板には、前記プラズマ生成部の前記アンテナ素子の間の領域と整合する第1の領域に前記プラズマ生成部に対して開口したガス放出口が複数形成されるとともに、前記アンテナ素子の位置する領域と整合する第2の領域には前記ガス放出口が形成されていない。これにより、成膜面積が大きい場合であっても、成膜速度を向上させるとともに、パーティクルの発生を抑制し、膜質および膜厚均一性が優れた膜を形成することができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP4554712