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1. (WO2008123289) 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123289 国際出願番号: PCT/JP2008/055679
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 26.03.2008
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01) ,H01L 27/115 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
8247
電気的にプログラムできるもの(EPROM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
112
リードオンリーメモリ構造
115
電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
788
浮遊ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
792
電荷トラッピングゲート絶縁体,例.MNOSメモリトランジスタ,を有するもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
国立大学法人 広島大学 HIROSHIMA UNIVERSITY [JP/JP]; 〒7390046 広島県東広島市鏡山一丁目3番2号 Hiroshima 3-2, Kagamiyama 1-chome, Higashi-Hiroshima-shi, Hiroshima 7390046, JP (AllExceptUS)
宮崎 誠一 MIYAZAKI, Seiichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
鴻野 真之 KOHNO, Masayuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
西田 辰夫 NISHITA, Tatsuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
中西 敏雄 NAKANISHI, Toshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
廣田 良浩 HIROTA, Yoshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
宮崎 誠一 MIYAZAKI, Seiichi; JP
鴻野 真之 KOHNO, Masayuki; JP
西田 辰夫 NISHITA, Tatsuo; JP
中西 敏雄 NAKANISHI, Toshio; JP
廣田 良浩 HIROTA, Yoshihiro; JP
代理人:
吉武 賢次 YOSHITAKE, Kenji; 〒1000005 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 富士ビル323号 協和特許法律事務所 Tokyo Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000005, JP
優先権情報:
2007-07985226.03.2007JP
2007-25427328.09.2007JP
発明の名称: (EN) SILICON NITRIDE FILM AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) FILM DE NITRURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
要約:
(EN) Provided is a silicon nitride film having excellent charge storage performance effective as a charge storage layer for a semiconductor memory device. The silicon nitride film having substantially uniform trap density in the film thickness direction has high charge storage performance. The silicon nitride film is formed by plasma CVD by using a plasma processing apparatus (100) wherein microwaves are introduced into a chamber (1) by a flat antenna (31) having a plurality of holes. Plasma is generated by the microwaves by introducing a material gas, which contains a nitrogen containing compound and a silicon containing compound, into the chamber (1), and the silicon nitride film is deposited on the surface of a body to be processed by the plasma.
(FR) La présente invention concerne un film de nitrure de silicium présentant d'excellentes performances de stockage de charge et efficace comme couche de stockage de charge pour un dispositif de mémoire à semi-conducteurs. Le film de nitrure de silicium, qui a une densité de pièges sensiblement uniforme dans le sens de l'épaisseur du film, présente de hautes performances de stockage de charge. Le film de nitrure de silicium est formé par CVD par plasma à l'aide d'un appareil de traitement par plasma (100) dans lequel des micro-ondes sont introduites dans une chambre (1) par une antenne plate (31) comportant une pluralité de trous. Le plasma est généré par les micro-ondes en introduisant dans la chambre (1) un gaz de matière qui contient un composé contenant de l'azote et un composé contenant du silicium, puis le film de nitrure de silicium est déposé sur la surface d'un corps devant être traitée par le plasma.
(JA)  半導体メモリ装置の電荷蓄積層として有用な優れた電荷蓄積能力を有する窒化珪素膜が提供される。膜の厚さ方向に略均等なトラップ密度を有する窒化珪素膜は、高い電荷蓄積能力を有する。この窒化珪素膜は、複数の孔を有する平面アンテナ31によりチャンバー1内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置100を用い、チャンバー1内に窒素含有化合物と珪素含有化合物とを含む原料ガスを導入してマイクロ波によりプラズマを発生させ、該プラズマにより被処理体の表面に窒化珪素膜を堆積させるプラズマCVDによって成膜される。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020100014564US20100140683CN101641783