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1. (WO2008123270) 半導体装置、半導体装置の製造方法及び表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123270 国際出願番号: PCT/JP2008/055633
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 26.03.2008
IPC:
H01L 51/50 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
出願人:
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 〒1008321 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 Tokyo 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP (AllExceptUS)
国立大学法人 九州大学 KYUSHU UNIVERSITY [JP/JP]; 〒8128581 福岡県福岡市東区箱崎六丁目10番1号 Fukuoka 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 8128581, JP (AllExceptUS)
矢野 公規 YANO, Koki [JP/JP]; JP (UsOnly)
中野谷 一 NAKANOTANI, Hajime [JP/JP]; JP (UsOnly)
安達 千波矢 ADACHI, Chihaya [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
矢野 公規 YANO, Koki; JP
中野谷 一 NAKANOTANI, Hajime; JP
安達 千波矢 ADACHI, Chihaya; JP
代理人:
渡辺 喜平 WATANABE, Kihei; 〒1010041 東京都千代田区神田須田町一丁目26番 芝信神田ビル3階 Tokyo Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor, 26, Kanda Suda-cho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041, JP
優先権情報:
2007-07899826.03.2007JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DISPLAY
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET ÉCRAN D'AFFICHAGE
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法及び表示装置
要約:
(EN) Disclosed is a semiconductor device which comprises an organic semiconductor layer (10) and an oxide semiconductor layer (11), and emits light.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend une couche à semi-conducteurs organique (10) et une couche à semi-conducteurs d'oxyde (11) et qui émet de la lumière.
(JA)  有機半導体層10及び酸化物半導体層11を備え発光する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100140599