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1. (WO2008123213) 半導体装置及び半導体製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/123213    国際出願番号:    PCT/JP2008/055488
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 25.03.2008
予備審査請求日:    25.09.2008    
IPC:
H01L 29/161 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01)
出願人: KYOTO UNIVERSITY [JP/JP]; 36-1, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 6068501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUDA, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIMOTO, Tsunenobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUDA, Jun; (JP).
KIMOTO, Tsunenobu; (JP)
代理人: HIRAKI, Yusuke; Kamiya-cho MT Bldg. 19F 3-20, Toranomon 4-chome Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2007-080243 26.03.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置及び半導体製造方法
要約: front page image
(EN)On a SiC surface (1a) terminated by Si on a Si polar surface, one atomic layer of Si atoms (3) is grown, and one atomic layer of C atoms (5) is grown. Then, Si and C are supplied to form a SiC layer. The surface of the SiC layer grown in such manner is a C polar surface opposite to the Si polar surface. Namely, in the above mentioned step, on the SiC layer (1) having Si polarity, a SiC layer (1x) having C polarity, i.e., reversed polarity, is grown by having the one atomic layer of Si intermediate layer (b) in between. With this technology, the polarity of SiC can be reversed on the surface.
(FR)Une couche atomique d'atomes de Si (3) et une couche atomique d'atomes de C (5) sont développées sur une surface de SiC (1a) terminée par du Si sur une surface polaire de Si. Puis Si et C sont disposés de façon à former une couche de SiC. La surface de la couche de SiC ainsi développée est une surface polaire de C opposée à la surface polaire de Si. Autrement dit, dans l'étape susmentionnée, il est développé sur la couche de SiC (1) ayant la polarité de Si une couche de SiC (1x) ayant la polarité de C, c'est-à-dire une polarité inversée, la première couche atomique de couche intermédiaire de Si (b) se trouvant entre celles-ci. Grâce à cette technologie, il est possible d'inverser la polarité de SiC sur la surface.
(JA)Si極性面のSiで終端されたSiC表面1aにSi原子3を1原子層成長し、さらにC原子5を1原子層だけ成長する。その後は、SiとCとを供給しSiC層を形成する。この際に成長したSiC層の表面は、Si極性面とは反対のC極性面となる。すなわち、上記の工程によれば、Si極性のSiC層1上に1原子層のSi中間層bを挟んで極性が反転したC極性のSiC層1xを成長することができる。これによりSiCの極性を表面において反転させる技術を提供することが可能になる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)