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1. (WO2008123210) 感光性樹脂組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123210 国際出願番号: PCT/JP2008/055480
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 25.03.2008
IPC:
G03F 7/075 (2006.01) ,C08F 299/08 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,C08G 77/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
075
シリコン含有化合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
299
非高分子量単量体の不存在下に,炭素-炭素不飽和結合のみが関与する重合体相互の反応によって得られる高分子化合物
02
不飽和重縮合物からのもの
08
ポリシロキサン
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
40
画像様除去後の処理,例.加熱
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77
高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
04
ポリシロキサン
20
不飽和脂肪族基に結合したけい素を含むもの
出願人:
旭化成イーマテリアルズ株式会社 Asahi Kasei E-materials Corporation [JP/JP]; 〒1018101 東京都千代田区神田神保町一丁目105番地 Tokyo 1-105 Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku Tokyo 1018101, JP (AllExceptUS)
頼末 友裕 YORISUE, Tomohiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
頼末 友裕 YORISUE, Tomohiro; JP
優先権情報:
2007-09808804.04.2007JP
発明の名称: (EN) PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE
(JA) 感光性樹脂組成物
要約:
(EN) This invention provides a photosensitive resin composition which is suitable as a buffer coat material and a rewiring layer in an LSI chip and can be cured in air by photopolymerization. The photosensitive resin composition comprises a photosensitive silicone containing a styryl group as a photosensitive group and a photopolymerization initiator having a specific structure. There are also provided a method for cured relief pattern formation using the photosensitive resin composition, and a semiconductor device comprising the cured relief pattern.
(FR) La composition de résine photosensible selon l'invention peut aussi bien servir de matériau de base d'une couche tampon que de couche de recâblage d'une puce LSI, et il est possible de la traiter à l'air par photopolymérisation. Ladite composition de résine photosensible comprend une silicone photosensible dont le groupe photosensible est un groupe styryle, et un initiateur de photopolymérisation qui possède une structure spécifique. L'invention concerne également un procédé permettant d'obtenir une structure en relief polymérisée à l'aide de ladite composition de résine photosensible, et un dispositif à semi-conducteur comprenant cette structure.
(JA)  感光基としてスチリル基を有する感光性シリコーンと、特定構造の光重合開始剤を含む感光性樹脂組成物を用いる。それにより、LSIチップのバッファコート材料や再配線層として好適な、空気中で光重合硬化できる感光性樹脂組成物、並びに感光性樹脂組成物を用いた硬化レリーフパターンの形成方法、及び硬化レリーフパターンを含む半導体装置を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020100009536EP2133744JPWO2008123210US20100104827CN101646978JP5144646