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1. (WO2008123178) 有機EL素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123178 国際出願番号: PCT/JP2008/055383
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 24.03.2008
IPC:
H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
出願人:
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 〒1008321 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 Tokyo 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP (AllExceptUS)
西村 和樹 NISHIMURA, Kazuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
岩隈 俊裕 IWAKUMA, Toshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
福岡 賢一 FUKUOKA, Kenichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
甚出 行俊 JINDE, Yukitoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
細川 地潮 HOSOKAWA, Chishio [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
西村 和樹 NISHIMURA, Kazuki; JP
岩隈 俊裕 IWAKUMA, Toshihiro; JP
福岡 賢一 FUKUOKA, Kenichi; JP
甚出 行俊 JINDE, Yukitoshi; JP
細川 地潮 HOSOKAWA, Chishio; JP
代理人:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 〒1670051 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 荻窪TMビル3階 Tokyo 3rd floor, Ogikubo TM building 26-13, Ogikubo 5-chome Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
優先権情報:
2007-07761123.03.2007JP
発明の名称: (EN) ORGANIC EL DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 有機EL素子
要約:
(EN) Phosphorescent light-emitting layers (51, 52) contain a host for phosphorescence and a phosphorescent dopant for phosphorescence, while a fluorescent light-emitting layer (7) contains a host for fluorescence and a fluorescent dopant for fluorescence. An electron blocking layer (6) blocks electrons injected in the host for fluorescent of the fluorescent light-emitting layer (7) from being injected into the electron blocking layer (6) side from the fluorescent light-emitting layer (7), while allowing holes being injected into the fluorescent light-emitting layer (7) from the phosphorescent light-emitting layers (51, 52). The triplet energy gap EgPD of the dopant for phosphorescence of the phosphorescent light-emitting layers (51, 52), the triplet energy gap EgEB of the electron blocking layer (6) and the triplet energy gap EgFH of the host for fluorescence of the fluorescent light-emitting layer (7) satisfy the following relation (1). EgPD < EgEB ≤ EgFH (1)
(FR) L'invention concerne des couches phosphorescentes (51, 52) qui contiennent un hôte pour la phosphorescence et un dopant phosphorescent pour la phosphorescence, tandis qu'une couche fluorescente (7) contient un hôte pour la fluorescence et un dopant fluorescent pour la fluorescence. Une couche de blocage d'électrons (6) empêche des électrons injectés dans l'hôte pour la fluorescence de la couche fluorescente (7) d'être injectés dans le côté de couche de blocage d'électrons (6) à partir de la couche fluorescente (7), tout en permettant à des trous d'être injectés dans la couche fluorescente (7) à partir des couches phosphorescentes (51, 52). La bande interdite de triplet EgPD du dopant pour la phosphorescence des couches phosphorescentes (51, 52), la bande interdite de triplet EgEB de la couche de blocage d'électrons (6) et la bande interdite de triplet EgFH de l'hôte pour la phosphorescence de la couche fluorescente (7) satisfont la relation suivante (1). EgPD < EgEB ≤ EgFH (1)
(JA)  燐光発光層(51,52)は、燐光用ホストと燐光発光を示す燐光用ドーパントとを有し、蛍光発光層(7)は、蛍光用ホストと蛍光発光を示す蛍光用ドーパントとを有する。電荷障壁層(6)は、蛍光発光層(7)の蛍光用ホストに注入された電子が蛍光発光層(7)から電荷障壁層(6)側に注入されるのをブロックし、かつ、正孔を燐光発光層(51,52)から蛍光発光層(7)に注入させる。燐光発光層(51,52)の燐光用ドーパントの三重項エネルギーギャップEgPDと、電荷障壁層(6)の三重項エネルギーギャップEgEBと、蛍光発光層(7)の蛍光用ホストの三重項エネルギーギャップEgFHとは、次の式(1)を満たす。 EgPD<EgEB≦EgFH  (1)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2133932EP2133932US20100044689