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1. (WO2008123139) 抵抗記憶素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123139 国際出願番号: PCT/JP2008/055272
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 21.03.2008
IPC:
H01L 27/10 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49
27/00~47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 〒6178555 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 Kyoto 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP (AllExceptUS)
廣瀬 左京 HIROSE, Sakyo [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
廣瀬 左京 HIROSE, Sakyo; JP
代理人:
小柴 雅昭 KOSHIBA, Masaaki; 〒5430051 大阪府大阪市天王寺区四天王寺1丁目14番22号日進ビル 小柴特許事務所 Osaka Koshiba Patent Office, Nisshin Building, 14-22, Shitennoji 1-chome, Tennoji-ku, Osaka-shi, Osaka 5430051, JP
優先権情報:
2007-07827226.03.2007JP
2007-22754903.09.2007JP
発明の名称: (EN) RESISTANCE MEMORY ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT MÉMOIRE À RÉSISTANCE
(JA) 抵抗記憶素子
要約:
(EN) Disclosed is a resistance memory element which has a relatively high switching voltage and can achieve a relatively high change ratio in resistance. The resistance memory element comprises a base material (2) and opposite electrodes (3,4) which are opposed to each other through at least a part of the base material (2), wherein the base material (2) comprises a semiconductor ceramic material represented by the general formula: {(Sr1-xMx)1-yAy}(Ti1-zBz)O3 [wherein M represents at least one of Ba or Ca; A represents at least one element selected from Y and rare earth elements; and B represents at least one of Nb and Ta], and wherein x, y and z satisfy the following requirements: when 0<x ≤0.5, 0.001 ≤y+z ≤0.02 (wherein 0≤y≤0.02 and 0≤z≤0.02); when 0.5<x≤0.8, 0.003 ≤y+z ≤0.02 (wherein 0≤y≤0.02 and 0≤z≤0.02); and when 0.8<x≤1.0, 0.005≤y+z≤0.01 (wherein 0≤y≤0.02 and 0≤z≤0.02).
(FR) L'invention concerne un élément mémoire à résistance qui a une tension de commutation relativement élevée et peut parvenir à un rapport de changement relativement élevé en résistance. L'élément mémoire à résistance comprend un matériau de base (2) et des électrodes opposées (3, 4) qui sont opposées entre elles à travers au moins une partie du matériau de base (2), le matériau de base (2) comprenant un matériau en céramique semi-conducteur représenté par la formule générale : {(Sr1-xMx)1-yAy}(Ti1-zBz)O3 [dans laquelle M représente au moins l'un de Ba ou Ca; A représente au moins un élément choisi parmi Y et des éléments des terres rares; et B représente au moins l'un de Nb et Ta], et dans laquelle x, y et z satisfont les exigences suivantes : lorsque 0<x ≤0,5, 0,001 ≤y+z ≤0,02 (dans laquelle 0≤y≤0,02 et 0≤z≤0,02); lorsque 0,5<x≤0,8, 0,003 ≤y+z ≤0,02 (dans laquelle 0≤y≤0,02 et 0≤z≤0,02); et lorsque 0,8<x≤1,0, 0,005≤y+z≤0,01 (dans laquelle 0≤y≤0,02 et 0≤z≤0,02).
(JA)  スイッチング電圧が比較的高く、かつ比較的高い抵抗変化率を実現できる、抵抗記憶素子を提供する。  素体(2)と、素体(2)の少なくとも一部を介して対向する対向電極(3,4)とを備え、素体(2)は、一般式:{(Sr1-x1-y}(Ti1-z)O(Mは、BaおよびCaの少なくとも一方。Aは、Yおよび希土類元素から選ばれる少なくとも1種の元素。Bは、NbおよびTaの少なくとも一方。)で表され、かつ、0<x≦0.5のとき、0.001≦y+z≦0.02(ただし、0≦y≦0.02、0≦z≦0.02)、0.5<x≦0.8のとき、0.003≦y+z≦0.02(ただし、0≦y≦0.02、0≦z≦0.02)、および0.8<x≦1.0のとき、0.005≦y+z≦0.01(ただし、0≦y≦0.02、0≦z≦0.02)という条件を満たす半導体セラミックからなる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)