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1. (WO2008123089) 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123089 国際出願番号: PCT/JP2008/055045
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 19.03.2008
IPC:
G09G 3/30 (2006.01) ,G09G 3/20 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
G
静的手段を用いて可変情報を表示する表示装置の制御のための装置または回路
3
陰極線管以外の可視的表示器にのみ関連した,制御装置または回路
20
マトリックス状に配置された個々の要素の組み合わせによりその集合を構成することによって多数の文字の集合,例.1頁,を表示するためのもの
22
制御された光源を用いるもの
30
エレクトロルミネッセントパネルを用いるもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
G
静的手段を用いて可変情報を表示する表示装置の制御のための装置または回路
3
陰極線管以外の可視的表示器にのみ関連した,制御装置または回路
20
マトリックス状に配置された個々の要素の組み合わせによりその集合を構成することによって多数の文字の集合,例.1頁,を表示するためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
出願人:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 〒1080075 東京都港区港南1丁目7番1号 Tokyo 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP (AllExceptUS)
豊村 直史 TOYOMURA, Naobumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
内野 勝秀 UCHINO, Katsuhide [JP/JP]; JP (UsOnly)
山本 哲郎 YAMAMOTO, Tetsuro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
豊村 直史 TOYOMURA, Naobumi; JP
内野 勝秀 UCHINO, Katsuhide; JP
山本 哲郎 YAMAMOTO, Tetsuro; JP
代理人:
岩▲崎▼ 幸邦 IWASAKI, Sachikuni; 〒1050001 東京都港区虎ノ門1丁目2番8号 虎ノ門琴平タワー 三好内外国特許事務所内 Tokyo c/o Miyoshi International Patent Office Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
2007-09846504.04.2007JP
発明の名称: (EN) DRIVING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE LIGHT-EMITTING PART
(FR) PROCÉDÉ D'ATTAQUE D'UNE PARTIE ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE PAR ÉLECTROLUMINESCENCE ORGANIQUE
(JA) 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法
要約:
(EN) Provided is a driving method of an organic EL light-emitting part which optimizes mobility correction processing of a transistor for a drive circuit according to luminance. The driving method of the organic EL light-emitting part performs preprocessing [TP(5)1], threshold voltage cancel processing [TP(5)2] and write processing [TP(5)6] using the drive circuit (11) composed of a drive transistor TDrv, a video signal write transistor TSig and a capacitor part C1 having a pair of electrodes (both of the ends of which correspond to a first node ND1 and a second node ND2). Between the threshold voltage cancel processing and the write processing, the variable correction voltage of a value depending on the video signal voltage VCor VSig is applied to the first node ND1, and a potential higher than that of the second node ND2 in the threshold voltage cancel processing is applied to the drain area of the drive transistor TDrv to raise the potential of the second node ND2 according to the characteristic of the drive transistor TDrv.
(FR) L'invention concerne un procédé d'attaque d'une partie émettant de la lumière par électroluminescence (EL) organique qui optimise un traitement de correction de mobilité d'un transistor pour un circuit d'attaque selon la luminance. Le procédé d'attaque de la partie émettant de la lumière EL organique effectue un prétraitement [TP(5)1], un traitement d'annulation de tension seuil [TP(5)2] et un traitement d'écriture [TP(5)6] utilisant le circuit d'attaque (11) composé d'un transistor d'attaque TDrv, d'un transistor d'écriture de signal vidéo TSig et d'une partie de condensateur C1 ayant une paire d'électrodes (dont les deux extrémités correspondent à un premier nœud ND1 et un second noeud ND2). Entre le traitement d'annulation de tension seuil et le traitement d'écriture, la tension de correction variable d'une valeur dépendant de la tension de signal vidéo VCor VSig est appliquée au premier noeud ND1, et un potentiel supérieur à celui du second noeud ND2 dans le traitement d'annulation de tension seuil est appliqué à la zone de drain du transistor d'attaque TDrv pour augmenter le potentiel du second noeud ND2 selon la caractéristique du transistor d'attaque TDrv.
(JA)  輝度に応じて駆動回路のトランジスタの移動度補正処理の最適化を図る有機EL発光部の駆動方法を提供する。駆動トランジスタTDrv、映像信号書込みトランジスタTSig 及び一対の電極(両端が第1ノードND1及び第2ノードND2 に相当する)を備えたコンデンサ部C1 から構成された駆動回路11を用い、前処理[TP(5)1]、閾値電圧キャンセル処理[TP(5)2]、書込み処理[TP(5)6]を行う有機EL発光部の駆動方法において、閾値電圧キャンセル処理と書込み処理との間で、第1ノードND1 に映像信号電圧VSig に依存した値の可変の補正電圧VCor を印加して、且つ、閾値電圧キャンセル処理における第2ノードND2 の電位よりも高い電圧を駆動トランジスタTDrv のドレイン領域に印加することにより、駆動トランジスタTDrv の特性に応じて第2ノードND2 の電位を上昇させる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090118987EP2133859US20100039421US20120068992US20130120348CN101681592