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1. (WO2008123083) 半導体装置および電動車両
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/123083    国際出願番号:    PCT/JP2008/055025
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 12.03.2008
予備審査請求日:    01.10.2008    
IPC:
H01L 23/38 (2006.01)
出願人: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIDA, Tadafumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OSADA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOKOI, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIDA, Tadafumi; (JP).
OSADA, Hiroshi; (JP).
YOKOI, Yutaka; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor 2-7, Nakanoshima 2-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2007-077471 23.03.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRIC VEHICLE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET VÉHICULE ÉLECTRIQUE
(JA) 半導体装置および電動車両
要約: front page image
(EN)A Peltier device (51) includes: a conductive plate (112A) forming a heat absorbing unit arranged in contact with an insulating layer (110); and a conductive plate (112B) forming a heat radiation unit arranged in contact with an insulating layer (114). The Peltier device (51) has one end connected to a branch line (BL) branched from a power linen(PL) and the other end electrically connected to an electrode plate (108). The Peltier device (51) receives a part of power flowing into a power transistor (Q1) from the branch line (BL) and outputs it to the electrode plate (108). That is, by using a part of the power flowing into the power transistor (Q1), the Peltier device (51) absorbs the heat generated by the power transistor (Q1) and radiates the heat to the side of a radiation plate (116).
(FR)Selon l'invention, un dispositif de Peltier (51) comprend : une plaque conductrice (112A) formant une unité d'absorption de chaleur disposée en contact avec une couche isolante (110) ; et une plaque conductrice (112B) formant une unité de rayonnement de chaleur disposée en contact avec une couche isolante (114). Le dispositif de Peltier (51) a une extrémité connectée à une ligne de branchement (BL) branchée à partir d'une ligne de puissance (PL) et l'autre extrémité électriquement connectée à une plaque d'électrode (108). Le dispositif de Peltier (51) reçoit une partie de la puissance circulant dans un transistor de puissance (Q1) à partir de la ligne de branchement (BL) et la délivre vers la plaque d'électrode (108). Autrement dit, à l'aide d'une partie de la puissance circulant dans le transistor de puissance (Q1), le dispositif de Peltier (51) absorbe la chaleur générée par le transistor de puissance (Q1) et rayonne la chaleur vers le côté d'une plaque de rayonnement (116).
(JA) ペルチェ素子(51)は、吸熱部を形成する導電板(112A)が絶縁層(110)に密接し、放熱部を形成する導電板(112B)が絶縁層(114)に密接するように配設される。ペルチェ素子(51)は、電力線(PL)から分岐される分岐線(BL)に一端が接続され、電極板(108)にその他端が電気的に接続される。そして、ペルチェ素子(51)は、パワートランジスタ(Q1)に流される電力の一部を分岐線(BL)から受けて電極板(108)へ出力する。すなわち、ペルチェ素子(51)は、パワートランジスタ(Q1)に流される電力の一部を用いて、パワートランジスタ(Q1)が発生した熱を吸熱して放熱板(116)側へ放熱する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)