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1. (WO2008123075) 貫通エッチング方法及びコンタクタ製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/123075 国際出願番号: PCT/JP2008/054991
国際公開日: 16.10.2008 国際出願日: 18.03.2008
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01R 1/073 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
1
グループG01R5/00~G01R13/00またはG01R31/00に包含される型の機器または装置の細部
02
一般的な構造の細部
06
測定用導線;測定用探針
067
測定用探針
073
複合探針
出願人:
株式会社アドバンテスト ADVANTEST CORPORATION [JP/JP]; 〒1790071 東京都練馬区旭町一丁目32番1号 Tokyo 32-1, Asahicho 1-chome, Nerima-ku, Tokyo 1790071, JP (AllExceptUS)
中村 正典 NAKAMURA, Masanori [JP/JP]; JP (UsOnly)
浅野 宏二 ASANO, Koji [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
中村 正典 NAKAMURA, Masanori; JP
浅野 宏二 ASANO, Koji; JP
代理人:
とこしえ特許業務法人 TOKOSHIE PATENT FIRM; 〒1600023 東京都新宿区西新宿8丁目8番3号 星野第1ビル Tokyo Hoshino Dai-ichi Bldg. 8-3, Nishishinjuku 8-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
優先権情報:
2007-08200127.03.2007JP
発明の名称: (EN) THROUGH-ETCHING PROCESS AND METHOD FOR PRODUCING CONTACTOR
(FR) PROCESSUS ET PROCÉDÉ PAR GRAVURE TRAVERSANTE POUR PRODUIRE UN CONTACTEUR
(JA) 貫通エッチング方法及びコンタクタ製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a through-etching process for substrates, which comprises s masking step S1 for forming an etching mask layer (60) on a first surface of a silicon wafer (W), a protective film forming step S2 for forming a polyimide precursor layer (62) on a second surface of the silicon wafer which is opposite to the first surface, a heating step S3 for heating the silicon wafer (W) at a temperature at which the polyimide precursor layer (62) is not imidized, and an etching step S4 for through-etching the silicon wafer (W).
(FR) L'invention concerne un processus par gravure traversante de substrats, qui comprend une étape de masquage S1 pour former une couche masque de gravure (60) sur une première surface d'une plaquette en silicium (W), une étape de formage de film de protection S2 pour former une couche précurseur polyimide (62) sur une seconde surface de la plaquette en silicium à l'opposé de la première surface, une étape de chauffage S3 pour chauffer la plaquette en silicium (W) à une température où la couche précurseur polyimide (62) n'est pas imidisée, et une étape de gravure S4 pour graver à travers la plaque en silicium (W).
(JA) シリコンウエハWの第1の面にエッチングマスク層60を形成するマスキングステップS1と、シリコンウエハの第1の面と反対側の第2の面にポリイミド前駆体層62を形成する保護膜形成ステップS2と、ポリイミド前駆体層62がイミド化しない温度でシリコンウエハWを加熱する加熱ステップS3と、シリコンウエハWを貫通エッチングするエッチングステップS4と、を含む基板の貫通エッチング方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)