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1. (WO2008120826) マイクロ波・ミリ波センサ装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/120826    国際出願番号:    PCT/JP2008/056834
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 31.03.2008
G01S 7/03 (2006.01), G01S 13/04 (2006.01)
出願人: National Institute of Information and Communications Technology [JP/JP]; 4-2-1, Nukui-Kitamachi, Koganei-shi, Tokyo 1848795 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UTAGAWA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUI, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: UTAGAWA, Hitoshi; (JP).
MATSUI, Toshiaki; (JP)
代理人: FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Bldg. 6-13, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
2007-096545 02.04.2007 JP
(JA) マイクロ波・ミリ波センサ装置
要約: front page image
(EN)A microwave/millimeter wave sensor apparatus can obtain sensitive detected information while attaining a simple constitution, low costs and high efficiency of power. In the sensor apparatus, a planar radiation type oscillator substrate (S1) having an inner layer GND (12) interposed between a front surface side dielectric substrate (10) and a rear surface side dielectric substrate (11) has a pair of conductor patches (4, 4) axisymmetrically on the side of a front surface layer (16). A gate (2) and a drain (3) of a microwave transistor (1) are respectively connected to the conductor patches (4, 4) to supply power to the gate (2) and the drain (3) of the microwave transistor (1) by a gate-side RF choke circuit (5a) and a drain-side RF choke circuit (5b). An impedance line (9) satisfying an oscillation condition is connected to a source (8) to transmit a transmission RF signal in an RF zone as a planar radiation type oscillator and to receive a reception RF signal as reflected waves from a matter to be measured, thus obtaining an IF signal as detected information by homodyne mixing.
(FR)Le dispositif de détection de micro-ondes/ondes millimétriques selon l'invention permet obtenir des informations détectées sensibles tout en présentant une constitution simple, des coûts réduits et une très faible alimentation. Dans le dispositif de détection, un substrat d'oscillateur de type à rayonnement planaire (S1) ayant une couche interne GND (12) interposée entre un substrat diélectrique latéral sur la surface avant (10) et un substrat diélectrique latéral sur la surface arrière (11) comporte une paire de correcteurs de conduction (4, 4) disposés de manière axisymétrique sur le côté d'une couche de surface avant (16). La grille (2) et le drain (3) du transistor à micro-ondes (1) sont respectivement connectés aux correcteurs de conduction (4, 4) pour fournir de l'énergie à la grille (2) et au drain (3) du transistor à micro-ondes (1) via un circuit à étranglement RF de côté grille (5a) et un circuit à étranglement RF du côté drain (5b). Une ligne d'impédance (9) satisfaisant une condition d'oscillation est connectée à une source (8) pour transmettre un signal RF de transmission dans une zone RF en tant qu'oscillateur du type à rayonnement planaire et pour recevoir un signal RF de réception sous forme d'ondes reflétées par le sujet à mesurer, en obtenant ainsi un signal IF en tant qu'informations détectées, par mélange homodyne.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)