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1. (WO2008120715) 基板処理装置及びその処理室内の状態安定化方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/120715 国際出願番号: PCT/JP2008/056080
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
清水 宣昭 SHIMIZU, Noriaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
貝瀬 精一 KAISE, Seiichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
飯島 清仁 IIJIMA, Kiyohito [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
清水 宣昭 SHIMIZU, Noriaki; JP
貝瀬 精一 KAISE, Seiichi; JP
飯島 清仁 IIJIMA, Kiyohito; JP
代理人:
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; 〒1506032 東京都渋谷区恵比寿4丁目20番3号 恵比寿ガーデンプレイスタワー32階 Tokyo 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-Chome, Shibuya-Ku, Tokyo 1506032, JP
優先権情報:
2007-09358230.03.2007JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR STABILIZING STATUS IN PROCESSING CHAMBER OF THE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE STABILISATION DE STATUT DANS LA CHAMBRE DE TRAITEMENT DE L'APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及びその処理室内の状態安定化方法
要約:
(EN) A substrate processing apparatus is provided with a susceptor arranged in a processing chamber for placing a substrate; a high frequency power supply for supplying the susceptor with high frequency power; a gas supply section for supplying inside the processing chamber with a prescribed gas; an exhaust section for exhausting the processing chamber; and a control section, which makes the exhaust section perform exhaustion by supplying inside the processing chamber with the prescribed gas from the gas supply section, in a status where the substrate is not placed on the susceptor prior to starting to process the substrate in the processing chamber, applies high frequency power to the susceptor from the high frequency power supply, and permits a process for stabilizing the status in the processing chamber to be executed.
(FR) L'appareil de traitement de substrat selon la présente invention est équipé d'un suscepteur disposé dans une chambre de traitement destinée à placer un substrat ; un bloc d'alimentation à haute fréquence destiné à fournir au suscepteur une puissance à haute fréquence ; une section d'alimentation en gaz destinée à amener à l'intérieur de la chambre de traitement un gaz prescrit ; une section d'échappement destinée à évacuer le gaz de la chambre de traitement ; et une section de contrôle, qui fait en sorte que la section d'échappement effectue une évacuation en amenant à l'intérieur de la chambre de traitement le gaz prescrit à partir de la section d'alimentation en gaz, dans un état dans lequel le substrat n'est pas placé sur le suscepteur avant de commencer le traitement du substrat dans la chambre de traitement, applique une puissance à haute fréquence sur le suscepteur à partir du bloc d'alimentation à haute fréquence, et permet d'obtenir un traitement permettant de stabiliser l'état dans la chambre de traitement devant être exécuté.
(JA)  処理室内に配置され、基板を載置するサセプタと、サセプタに高周波電力を供給する高周波電源と、処理室内に所定のガスを供給するガス供給部と、処理室を排気する排気部と、処理室内で基板のプロセス処理を開始するのに先立って、サセプタに基板を載置しない状態で、処理室内にガス供給部から所定のガスを供給しながら排気部で排気を行って、高周波電源からの高周波電力をサセプタに印加して、処理室内の状態を安定化させる処理を実行させる制御部とを備える基板処理装置が開示される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)