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1. (WO2008120606) 半導体発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/120606 国際出願番号: PCT/JP2008/055500
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 25.03.2008
IPC:
H01L 33/56 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
52
封止
56
材料,例.エポキシ樹脂,シリコン樹脂
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
62
半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品,例.リードフレーム,ワイヤボンドまたはハンダ
出願人:
ローム株式会社 Rohm Co., Ltd. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
田中 靖 TANAKA, Yasushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
田中 靖 TANAKA, Yasushi; JP
代理人:
吉田 稔 YOSHIDA, Minoru; 〒5430014 大阪府大阪市天王寺区玉造元町2番32-1301 Osaka 2-32-1301, Tamatsukuri-motomachi Tennoji-ku, Osaka-shi Osaka 5430014, JP
優先権情報:
2007-09287830.03.2007JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光装置
要約:
(EN) A semiconductor light emitting device (A1) includes a substrate (1) and two electrodes (2A, 2B) formed on the substrate (1). On the electrode (2A), a die bonding pad (2Aa) is formed, and an LED chip (3) is bonded on the die bonding pad by a silver paste (6) by die bonding. The outer periphery of the die bonding pad (2Aa) is positioned inside the outer periphery of the LED chip (3) when viewed from the thickness direction of the substrate (1). The electrode (2A) is provided with an extending section (21) which extends to the external of the LED chip (3) from the die bonding pad (2Aa).
(FR) Le dispositif électroluminescent à semi-conducteur (A1) selon l'invention inclut un substrat (1) et deux électrodes (2A, 2B) formées sur le substrat (1). Sur l'électrode (2A), un plot de connexion de puce (2Aa) est formé, et une puce de diode électroluminescente (3) est liée sur le plot de connexion de puce par une pâte d'argent (6) par connexion de puce. La périphérie extérieure du plot de connexion de puce (2Aa) est positionnée à l'intérieur de la périphérie extérieure de la puce de diode électroluminescente (3) lorsque l'on regarde dans la direction de l'épaisseur du substrat (1). L'électrode (2A) est dotée d'une section en saillie (21) qui s'étend jusqu'à la partie extérieure de la puce de diode électroluminescente (3) à partir du plot de connexion de puce (2Aa).
(JA)  半導体発光装置(A1)は、基板(1)と、基板(1)に形成された2つの電極(2A,2B)を含む。電極(2A)には、ダイボンディングパッド(2Aa)が形成されており、これに銀ペースト(6)を介してLEDチップ(3)がダイボンディングされる。ダイボンディングパッド(2Aa)は、基板(1)の厚さ方向視において、その外縁がLEDチップ(3)の外縁よりも内方に位置している。電極(2A)は、ダイボンディングパッド(2Aa)からLEDチップ(3)の外方に延びる延出部(21)を備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090119782US20100044747CN101675537