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1. (WO2008120467) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/120467    国際出願番号:    PCT/JP2008/000732
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 26.03.2008
予備審査請求日:    17.10.2008    
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUSUMOTO, Osamu; (米国のみ).
KUDOU, Chiaki; (米国のみ).
TAKAHASHI, Kunimasa; (米国のみ)
発明者: KUSUMOTO, Osamu; .
KUDOU, Chiaki; .
TAKAHASHI, Kunimasa;
代理人: OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
優先権情報:
2007-088342 29.03.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)On one surface of a semiconductor wafer (1) having a first surface (main surface) (1a) and a second surface (rear surface) (1b), a protection film (2) is formed. At the time attracting the semiconductor wafer (1) onto an attracting surface of an electrostatic chuck (6) heated to 400°C or higher, the semiconductor wafer (1) is attracted onto the attracting surface through the protection film (2). Under a state where the semiconductor wafer (1) is heated to 400°C or higher, ions are implanted on the surface, which is of the semiconductor wafer (1) and has no protection film (2) formed thereon. Then, the protection film (2) is removed from the semiconductor wafer (1).
(FR)Selon l'invention, sur une surface d'une tranche semi-conductrice (1) ayant une première surface (surface principale) (1a) et une seconde surface (surface arrière (1b), un film de protection (2) est formé. Au moment de l'attraction de la tranche semi-conductrice (1) sur une surface d'attraction d'un mandrin électrostatique (6) chauffé à 400°C ou plus, la tranche semi-conductrice (1) est attirée sur la surface d'attraction à travers le film de protection (2). Dans un état où la tranche semi-conductrice (1) est chauffée à 400°C ou plus, des ions sont implantés sur la surface, qui est celle de la tranche semi-conductrice (1) et n'a pas de film de protection (2) formé sur celle-ci. Ensuite, le film de protection (2) est retiré de la tranche semi-conductrice (1).
(JA) 第1の面(主面)1aおよび第2の面(裏面)1bを有する半導体ウェハ1の一方の面上に保護膜2を形成する。400°C以上に加熱された静電チャック6の吸着面に半導体ウェハ1を吸着させるとき、保護膜2を介して吸着面に半導体ウェハ1を吸着させる。半導体ウェハ1を400°C以上に加熱した状態で、半導体ウェハ1のうち保護膜2が形成されていない側の面に対してイオン注入を行う。その後、保護膜2を半導体ウェハ1から除去する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)