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1. (WO2008120459) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/120459 国際出願番号: PCT/JP2008/000645
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 19.03.2008
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
廣島満 HIROSHIMA, Mitsuru; null (UsOnly)
朝倉浩海 ASAKURA, Hiromi; null (UsOnly)
発明者:
廣島満 HIROSHIMA, Mitsuru; null
朝倉浩海 ASAKURA, Hiromi; null
代理人:
田中光雄 TANAKA, Mitsuo; 〒5400001 大阪府大阪市中央区城見1丁目3番7号IMPビル 青山特許事務所 Osaka AOYAMA & PARTNERS IMP Building 3-7, Shiromi 1-come Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400001, JP
優先権情報:
2007-07450022.03.2007JP
2007-08363628.03.2007JP
2007-09173530.03.2007JP
2007-09174130.03.2007JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
要約:
(EN) A plasma process device comprises a beam-shaped spacer (7) disposed in the upper opening of a chamber (3) opposed to a substrate (2) and supporting a dielectric plate (8). The dielectric plate (8) is supported by the beam-shaped spacer (7). The beam-shaped spacer (7) has process gas introducing orifices (31, 36) facing to the substrate (2) and inclined at a depression angle ϑd and rare gas introducing orifices (41) facing to the dielectric plate (8) and inclined at an elevation angle ϑe. In a high-pressure high-power process, the processing rate such as the etching rate is improved and the wear of the dielectric plate (8) is effectively reduced.
(FR) Un dispositif de traitement au plasma comprend un espaceur en forme de faisceau (7) disposé dans l'ouverture supérieure d'une chambre (3) opposée à un substrat (2) et supportant une plaque diélectrique (8). La plaque diélectrique (8) est supportée par l'espaceur en forme de faisceau (7). L'espaceur en forme de faisceau (7) a des orifices d'introduction de gaz de traitement (31, 36) opposés au substrat (2) et inclinés à un angle de dépression ϑd et des orifices d'introduction de gaz rare (41) opposés à la plaque diélectrique (8) et inclinés à un angle d'élévation ϑe. Dans un procédé haute pression haute température, la vitesse de traitement telle que la vitesse de gravure est améliorée et l'usure de la plaque diélectrique (8) est efficacement réduite.
(JA)  プラズマ処理装置は、基板2と対向するチャンバ3の上部開口に配置されて誘電体板8を支持する梁状スペーサ7を備える。梁状スペーサ7により誘電体板8が支持されている。梁状スペーサ7には下向きに設けられた、基板2に向いた俯角θdを有する複数のプロセスガス導入口31,36と、誘電体板8に向いた仰角θeを有する複数の希ガス導入口41とが設けられている。高圧かつ高パワーのプロセスにおいて、エッチングレート等の処理速度の向上と、誘電体板8の摩耗の効果的な抑制を実現できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020100014501US20100089870JP5188496