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1. (WO2008120435) 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/120435    国際出願番号:    PCT/JP2008/000381
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 28.02.2008
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/10 (2006.01), C30B 30/02 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYAHARA, Yuuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IWASAKI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ODA, Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYAHARA, Yuuichi; (JP).
IWASAKI, Atsushi; (JP).
ODA, Tetsuhiro; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2007-097096 03.04.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL ET APPAREIL DE TRACTION DE MONOCRISTAL
(JA) 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
要約: front page image
(EN)A method of growing a silicon single crystal through pulling of a single crystal from a melt of silicon raw material made in a quartz crucible according to the Czochralski technique, characterized in that the growth of single crystal is carried out while a direct-current voltage is applied between the external wall side of the quartz crucible as a positive electrode and the side of pulling wire or pulling shaft for pulling of silicon single crystal as a negative electrode so that the electric current flowing through the silicon single crystal is constant throughout the single crystal pulling; and a relevant silicon single crystal pulling apparatus. Accordingly, there are provided a method of growing a silicon single crystal and silicon single crystal pulling apparatus, with which in the stage of growth of silicon single crystal, not only can an appropriate crystallized layer, namely, devitrification be generated on the internal wall surface of the quartz crucible but also the Li concentration of the silicon single crystal can be controlled, thereby attaining prevention of the occurrence of dislocation at single crystal growth and enhancements of single crystal yield and production efficiency and further, in thermal oxidation treatment after wafer cutout, inhibition of fluctuation of oxide film thickness.
(FR)L'invention concerne un procédé de croissance d'un monocristal de silicium par traction d'un monocristal à partir d'une masse fondue d'une matière première de silicium faite dans un creuset en quartz selon la technique Czochralski. Ce procédé est caractérisé par le fait que la croissance du monocristal est effectuée alors qu'une tension en courant continu est appliquée entre le côté de paroi externe du creuset en quartz comme électrode positive et le côté de fil de traction ou d'axe de traction pour la traction d'un monocristal de silicium comme électrode négative, de telle sorte que le courant électrique circulant à travers le monocristal de silicium est constant sur toute la traction de monocristal. L'invention concerne également un appareil de traction de monocristal de silicium correspondant. En conséquence, l'invention porte sur un procédé de croissance d'un monocristal de silicium et sur un appareil de traction de monocristal de silicium, avec lesquels, dans le stade de croissance du monocristal de silicium, non seulement une couche cristallisée appropriée, à savoir une dévitrification, peut être générée sur la surface de paroi interne du creuset en quartz, mais encore la concentration en Li du monocristal de silicium peut être contrôlée, permettant ainsi de parvenir à empêcher l'apparition d'une dislocation à la croissance du monocristal et des améliorations du rendement de monocristal et de rendement de production, et, en outre, dans un traitement d'oxydation thermique après découpe de la pastille, une inhibition de la fluctuation de l'épaisseur de film d'oxyde.
(JA) 本発明は、チョクラルスキー法により、石英坩堝内で溶融したシリコン原料の溶融液から単結晶を引き上げて成長させる方法において、前記石英坩堝の外壁側が正極、シリコン単結晶を引き上げる引上ワイヤーまたは引上シャフト側が負極となるよう直流電圧を印加し、単結晶引き上げ中を通してシリコン単結晶に流れる電流を一定にして単結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の成長方法とその引き上げ装置である。これによりシリコン単結晶の成長過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層すなわち失透を発生させると同時に、シリコン単結晶中のLi濃度を制御可能にすることにより、単結晶育成時の有転位化を防止し、単結晶歩留まりと生産性を向上させることができると共に、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理で、酸化膜厚のばらつきを抑制できるシリコン単結晶の成長方法および引き上げ装置が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)