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1. (WO2008120431) SOI基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/120431 国際出願番号: PCT/JP2008/000258
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 19.02.2008
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
265
イオン注入法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
12
基板が半導体本体以外のもの,例.絶縁体本体
出願人:
信越半導体株式会社 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 〒1000004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 Tokyo 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP (AllExceptUS)
竹野博 TAKENO, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
石塚徹 ISHIZUKA, Tohru [JP/JP]; JP (UsOnly)
能登宣彦 NOTO, Nobuhiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
竹野博 TAKENO, Hiroshi; JP
石塚徹 ISHIZUKA, Tohru; JP
能登宣彦 NOTO, Nobuhiko; JP
代理人:
好宮幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; 〒1100005 東京都台東区上野7丁目6番11号第一下谷ビル8F Tokyo 1st Shitaya Bldg. 8F 6-11, Ueno 7-chome Taito-ku, Tokyo 1100005, JP
優先権情報:
2007-08454628.03.2007JP
発明の名称: (EN) SOI SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM SUR ISOLANT
(JA) SOI基板の製造方法
要約:
(EN) An SOI substrate manufacturing method includes an oxygen ion implanting step of forming an oxygen ion implanted layer by implanting oxygen ions from at least one main surface of a single crystal silicon substrate, and a heat treatment step of changing the ion implanted layer into an embedded oxide film layer by heat-treating the single crystal silicon substrate wherein the oxygen ion implanted layer is formed. Acceleration energy for oxygen ion implantation is previously determined from the thickness of the embedded oxide film layer to be obtained, and an SOI substrate is manufactured by performing oxygen ion implantation step with the determined acceleration energy. Thus, the SOI substrate having a continuous and uniform thin embedded oxide film layer can be efficiently manufactured.
(FR) Le procédé de fabrication d'un substrat de silicium sur isolant inclut une étape d'implantation ionique d'oxygène consistant à former une couche ayant subi l'implantation ionique d'oxygène en implantant des ions d'oxygène à partir d'au moins une surface principale d'un substrat au silicium monocristal, et une étape de traitement thermique consistant à changer la couche ayant subi l'implantation ionique en une couche de film d'oxyde intégrée en traitant thermiquement le substrat au silicium monocristal dans lequel la couche ayant subi l'implantation ionique d'oxygène est formée. Une puissance d'accélération pour l'implantation ionique d'oxygène est déterminée au préalable à partir de l'épaisseur de la couche de film d'oxyde intégrée devant être obtenue, et un substrat de silicium sur isolant est fabriqué en effectuant l'étape d'implantation ionique d'oxygène avec la puissance d'accélération déterminée. Ainsi, le substrat de silicium sur isolant ayant une mince couche de film d'oxyde intégrée continue et uniforme peut être efficacement fabriqué.
(JA)  本発明は、少なくとも、単結晶シリコン基板の一方の主表面から酸素イオンをイオン注入して酸素イオン注入層を形成する酸素イオン注入工程と、酸素イオン注入層を形成した単結晶シリコン基板を熱処理して酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層に変化させる熱処理工程とを含むSOI基板を製造する方法において、予め、得ようとする埋め込み酸化膜層の厚さから、酸素イオン注入の加速エネルギーを決定し、該決定した加速エネルギーで酸素イオン注入工程を行ってSOI基板を製造するSOI基板の製造方法である。これにより、連続で均一な薄い埋め込み酸化膜層を有するSOI基板を効率的に製造することのできるSOI基板の製造方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100323502