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1. (WO2008120378) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/120378 国際出願番号: PCT/JP2007/056940
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 29.03.2007
IPC:
H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/8244 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/08 (2006.01) ,H01L 27/092 (2006.01) ,H01L 27/11 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8238
相補型電界効果トランジスタ,例.CMOS
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8244
スタティックランダムアクセスメモリ構造(SRAM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
08
1種類の半導体構成部品だけを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
08
1種類の半導体構成部品だけを含むもの
085
電界効果構成部品のみを含むもの
088
構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
092
相補型MIS電界効果トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
11
スタティックランダムアクセスメモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目7番1号 Tokyo 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722, JP (AllExceptUS)
田辺 亮 TANABE, Ryou [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
田辺 亮 TANABE, Ryou; JP
代理人:
國分 孝悦 KOKUBUN, Takayoshi; 〒1700013 東京都豊島区東池袋1丁目17番8号 NBF池袋シティビル5階 Tokyo 5th Floor, NBF Ikebukuro City Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約:
(EN) In a second direction, an n-channel MOS transistor and an expanding film (11) are adjacent to each other in a planar view. For this, the n-channel MOS transistor receives a positive stress from the expanding film (11) in a direction to expand its channel length. As a result, positive distortion is caused in an electron moving direction in the n-channel MOS transistor. Meanwhile, in the second direction, a p-channel MOS transistor and the expanding film (11) are shifted to each other. For this, the p-channel MOS transistor receives a positive stress in a direction to narrow a channel length from the expanding film (11). As a result, a positive compressing distortion is caused in a hole moving direction. Thus, both turned-on electric currents of the n-channel MOS transistor and the p-channel MOS transistor can be improved.
(FR) Dans une seconde direction, un transistor MOS à canal N et un film extensible (11) sont adjacents l'un par rapport à l'autre sur une vue planaire. Pour cette raison, le transistor MOS à canal N reçoit une contrainte positive du film extensible (11) dans une direction de manière à étendre la longueur de son canal. En conséquence, une distorsion positive est causée dans la direction de déplacement des électrons dans le transistor MOS à canal N. Pendant ce temps, dans la seconde direction, un transistor MOS à canal P et le film extensible (11) dont décalés l'un par rapport à l'autre. Pour cette raison, le transistor MOS à canal P reçoit une contrainte positive dans une direction de manière à restreindre la longueur de canal à partir du film extensible (11). En conséquence, une distorsion de compression positive est causée dans la direction de déplacement d'un trou. Ainsi, les deux courants électriques activés du transistor MOS à canal N et du transistor MOS à canal P peuvent être améliorés.
(JA)  第2の方向において、平面視で、nチャネルMOSトランジスタと膨張膜(11)とが隣り合っている。このため、nチャネルMOSトランジスタは膨張膜(11)からチャネル長が広げられる方向への正の応力を受ける。この結果、nチャネルMOSトランジスタのチャネルには、電子の移動方向への正の引張歪が生じる。一方、第2の方向において、平面視で、pチャネルMOSトランジスタと膨張膜(11)とは互いからずれている。このため、pチャネルMOSトランジスタは膨張膜(11)からチャネル長が狭められる方向への正の応力を受ける。この結果、pチャネルMOSトランジスタのチャネルには、正孔の移動方向への正の圧縮歪が生じる。従って、nチャネルMOSトランジスタ及びpチャネルMOSトランジスタの双方のオン電流を向上することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020100005052CN101641779JP5212362