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1. (WO2008120369) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/120369 国際出願番号: PCT/JP2007/056921
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 29.03.2007
IPC:
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
出願人:
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目7番1号 Tokyo 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722, JP (AllExceptUS)
工藤 寛 KUDO, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
押領司 方生 ORYOJI, Michio [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
工藤 寛 KUDO, Hiroshi; JP
押領司 方生 ORYOJI, Michio; JP
代理人:
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; 〒1506032 東京都渋谷区恵比寿4丁目20番3号 恵比寿ガーデンプレイスタワー32階 Tokyo 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 1506032, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) A semiconductor device having a first interlayer insulating film and a second interlayer insulating film comprising a carbon-containing inorganic insulating film (23) which is formed on the first interlayer insulating film and contains Si, O, C and H as the fundamental constituents, wherein the first interlayer insulating film has a hydrocarbon-type organic insulating film (22), which contains C, H and O as the fundamental constituents, at the interface with the second interlayer insulating film.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur ayant un premier film isolant intercouche et un second film isolant intercouche comprenant un film isolant inorganique contenant du carbone (23) qui est formé sur le premier film isolant intercouche et contient du Si, O, C et H en tant que constituants fondamentaux, le premier film isolant intercouche ayant un film isolant organique de type hydrocarbure (22), qui contient C, H et O en tant que constituants fondamentaux, à l'interface avec le second film isolant intercouche.
(JA)  半導体装置は、第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成されたSi,O,C,Hを基本構造として含む炭素含有無機絶縁膜(23)で構成される第2の層間絶縁膜と、を有し、前記第1の層間絶縁膜は、前記第2の層間絶縁膜との界面に、C,H,Oを基本構造として含む炭化水素系の有機絶縁膜(22)を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)