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1. (WO2008120348) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/120348    国際出願番号:    PCT/JP2007/056842
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 29.03.2007
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
出願人: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SATO, Tsukasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SATO, Tsukasa; (JP).
NAGAI, Kouichi; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, NBF Ikebukuro City Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A coating solution of SOG is applied onto silicon oxynitride film (11), and precured. Consequently, the water contained in the coating solution is evaporated off to thereby form SOG film (12). Subsequently, a coating solution of SOG is applied onto the SOG film (12), and precured. Consequently, SOG film (13) is formed. Thereafter, a coating solution of SOG is applied onto the SOG film (13), and precured. Consequently, SOG film (14) is formed. Next, principal curing of these SOG films (12,13,14) is carried out. The viscosity of the coating solution of SOG for use in the formation of the SOG film (12) is lower than those of the coating solutions of SOG for use in the formation of the SOG films (13,14).
(FR)Une solution de revêtement de mer de portes (SOG) est appliquée sur un film d'oxynitrure de silicium (11), et prédurcie. Par conséquent, l'eau contenue dans la solution de revêtement est éliminée par évaporation pour ainsi former un film SOG (12). Ultérieurement, une solution de revêtement de SOG est appliquée sur le film SOG (12), et prédurcie. Par conséquent, un film SOG (13) est formé. Ensuite, une solution de revêtement de SOG est appliquée sur le film SOG (13), et prédurcie. Par conséquent, un film SOG (14) est formé. Ensuite, un durcissement principal de ces films SOG (12, 13, 14) est réalisé. La viscosité de la solution de revêtement de SOG pour une utilisation dans la formation du film SOG (12) est inférieure à celle des solutions de revêtement de SOG pour une utilisation dans la formation des films SOG (13, 14).
(JA) シリコン酸窒化膜(11)の上にSOGの塗液を塗布し、これをプレキュアする。この結果、塗液に含まれていた水分が揮発し、SOG膜(12)が形成される。次いで、SOG膜(12)上にSOGの塗液を塗布し、これをプレキュアする。この結果、SOG膜(13)が形成される。その後、SOG膜(13)上にSOGの塗液を塗布し、これをプレキュアする。この結果、SOG膜(14)が形成される。続いて、SOG膜(12、13及び14)の本キュアを行う。SOG膜(12)の形成に用いるSOGの塗液の粘度は、SOG膜(13及び14)の形成に用いるSOGの塗液の粘度よりも低くする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)