WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008120306) CIS系薄膜太陽電池デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/120306    国際出願番号:    PCT/JP2007/056623
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 28.03.2007
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: Showa Shell Sekiyu K.K. [JP/JP]; 2-3-2, Daiba, Minato-ku, Tokyo 1358074 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUSHIYA, Katsumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIWARA, Yousuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUSHIYA, Katsumi; (JP).
FUJIWARA, Yousuke; (JP)
代理人: KASUKAWA, Toshio; 3Fl., Matsuokashibuya Bldg. 17-8, Shibuya 1-chome Shibuya-ku, Tokyo 1500002 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING CIS BASED THIN FILM SOLAR CELL DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CELLULE SOLAIRE EN COUCHES MINCES À BASE DE CIS
(JA) CIS系薄膜太陽電池デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To restrain such a situation as a buffer layer can not cover a low resistance semi-metallic phase on the surface of a light absorption layer by removing matters adhering to the surface of a CIS based light absorption layer and the buffer layer, and to enhance the characteristics of a CIS based thin film solar cell device, i.e. the curve factor and the conversion efficiency, by sustaining transparency and high resistance at a part covered with the buffer layer. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A prerinse step P4 is provided before a buffer layer film deposition step P5, and coating performance of the buffer layer is enhanced while sustaining transparency by removing matters adhering to the surface of a CIS based light absorption layer 3D thereby removing the disturbance factor in production reaction of the buffer layer. A rinse step P6 is provided after the step P5 and high resistivity is sustained by removing colloidal solid matters remaining on the surface of the buffer layer using rinse liquid. Rinse liquid from a second rinse tank in the P6 step is reused. A water cut/dry step P7 is provided after the step P6, and an n-type window layer (transparent conductive film) is deposited after drying.
(FR)L'invention vise à limiter une situation telle qu'une couche tampon ne peut pas recouvrir une phase semi-métallique à résistance faible sur la surface d'une couche d'absorption de lumière par le retrait des matières adhérant à la surface d'une couche absorbant la lumière à base de séléniure de cuivre indium (CIS) et de la couche tampon, et à améliorer les caractéristiques d'un dispositif de cellule solaire en couches minces à base de CIS, à savoir le coefficient de remplissage et le rendement de conversion, en conservant la transparence et la résistance élevée au niveau d'une partie recouverte par la couche tampon. A cet effet, une étape de pré-rinçage P4 est fournie avant une étape de dépôt de film de couche tampon P5, et une qualité de revêtement de la couche tampon est améliorée tout en conservant la transparence par le retrait des matières adhérant à la surface d'une couche absorbant la lumière à base de CIS en 3D, éliminant ainsi le facteur de perturbation dans une réaction de production de la couche tampon. Une étape de rinçage P6 est fournie après l'étape P5 et la résistivité élevée est conservée par la suppression des matières solides colloïdales restant sur la surface de la couche tampon à l'aide d'un liquide de rinçage. Un liquide de rinçage provenant d'un second réservoir de rinçage dans l'étape P6 réutilisé. Une étape de teneur en eau/séchage P7 est fournie après l'étape P6, et une couche de fenêtre de type n (film conducteur transparent) est déposée après séchage.
(JA)【課題】CIS系光吸収層及びバッファ層の表面に付着する付着物を除去することにより、バッファ層が光吸収層表面の低抵抗半金属相を被覆できないことを抑止すると共に、バッファ層被覆部での透明性及び高抵抗を保持し、CIS系薄膜太陽電池デバイスの太陽電池特性である曲線因子及び変換効率を向上させる。 【解決手段】バッファ層製膜工程P5の前にプレリンス工程P4を設け、CIS系光吸収層3Dの表面に付着する付着物を除去してバッファ層の生成反応の外乱因子を除去することでバッファ層の被覆性の向上と透明性を保持すると共に、併せて上記工程P5後にリンス工程P6を設け、リンス液によりバッファ層表面に残存するコロイド状固形物を洗浄除去することで、高抵抗性を保持する。このP6工程の第2リンス槽からのリンス液を再使用する。上記工程P6後に、水切り・乾燥工程P7を設け、乾燥した後、n型窓層(透明導電膜)を製膜する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)