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1. (WO2008120288) イオン注入分布の計算方法及び該計算方法を実現するプログラム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/120288 国際出願番号: PCT/JP2007/053692
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 27.02.2007
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
265
イオン注入法
出願人:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 Kanagawa 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
鈴木 邦広 SUZUKI, Kunihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
小島 修一 KOJIMA, Shuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
鈴木 邦広 SUZUKI, Kunihiro; JP
小島 修一 KOJIMA, Shuichi; JP
代理人:
大菅 義之 OSUGA, Yoshiyuki; 〒1020084 東京都千代田区二番町8番地20 二番町ビル3F Tokyo 3rd Fl., Nibancho Bldg. 8-20, Nibancho Chiyoda-ku, Tokyo 102-0084, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) ION IMPLANTATION DISTRIBUTION COMPUTING METHOD AND PROGRAM REALIZING THIS COMPUTING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE CALCUL DE RÉPARTITION D'IMPLANTATION IONIQUE ET PROGRAMME RÉALISANT CE PROCÉDÉ DE CALCUL
(JA) イオン注入分布の計算方法及び該計算方法を実現するプログラム
要約:
(EN) Talking it important that there is an element common to the integrals of the ion concentrations at the depths when the ion concentration after ion implantation by increasing the tilt is computed, a mesh simplifying the integral of the ion concentration at each depth is defined to express the common element and to use the mesh for integration. When using this mesh, the concentration equivalent to the contribution of the beam different from a single beam of interest can be replaced with the concentration distribution preset in the beam of interest. Therefore when integrating the ion concentration at each depth, only the information on one linear beam is computed for the concentration distribution in the direction of depth, and all the concentration distribution is computed by totaling the information on the same depth of the two-dimensional distribution of the single beam of interest for the computation of the concentration distribution equivalent to the contribution of the beams.
(FR) Il est important qu'il y ait un élément commun aux intégrales des concentrations ioniques aux profondeurs auxquelles la concentration ionique après l'implantation ionique en augmentant l'inclinaison est calculée, une maille simplifiant l'intégrale de la concentration ionique à chaque profondeur est définie de manière à exprimer l'élément commun et à utiliser la maille pour l'intégration. Lorsque cette maille est utilisée, l'équivalent de la concentration à la contribution du faisceau différent d'un faisceau unique d'intérêt peut être remplacé par la distribution de la concentration prédéfinie dans le faisceau d'intérêt. Par conséquent, lors de l'intégration de la concentration ionique à chaque profondeur, seule l'information sur le faisceau linéaire est calculée pour la distribution de la concentration dans la direction de la profondeur, et l'ensemble de la distribution de la concentration est calculé en cumulant l'information sur la même profondeur de la distribution bidimensionnelle du faisceau unique d'intérêt pour le calcul de l'équivalent de la distribution de la concentration à la contribution des faisceaux.
(JA)  tiltを傾けてイオン注入したときのイオン濃度分布を計算する場合に各深さのイオン濃度の積分には共通する要素があることに着目し、その共通する要素を表現するため各深さのイオン濃度の積分を簡易化するメッシュを定義し積分に利用する。このメッシュを使うと、着目する一本のビームとは異なるビームからの寄与と等価な濃度が着目する一本のビームに存在する濃度分布に置換することができる。したがって、各深さのイオン濃度の積分を行う場合には、深さ方向の濃度分布は一本の線ビームの情報のみを計算し、かつ、各ビームからの寄与と等価な濃度分布の計算は、着目する一本のビームの2次元分布の同一深さの情報を足し合わせることですべての濃度分布を計算する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20090306913