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1. (WO2008120286) 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法、およびパッケージ樹脂形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/120286 国際出願番号: PCT/JP2007/053666
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 27.02.2007
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
出願人:
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目7番1号 Tokyo 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1630722, JP (AllExceptUS)
永井 孝一 NAGAI, Kouichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
永井 孝一 NAGAI, Kouichi; JP
代理人:
松倉 秀実 MATSUKURA, Hidemi; 〒1030004 東京都中央区東日本橋3丁目4番10号 アクロポリス21ビル6階 Tokyo Acropolis 21 Building 6th floor 4-10, Higashi Nihonbashi 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030004, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE UNIT, PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF FORMING PACKAGE RESIN
(FR) UNITÉ DE STOCKAGE SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE RÉSINE DE CONDITIONNEMENT
(JA) 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法、およびパッケージ樹脂形成方法
要約:
(EN) A ferroelectric capacitor comprising a transistor layer superimposed on a semiconductor substrate, a ferroelectric capacitor layer provided superior to the transistor layer, a wiring layer provided superior to the ferroelectric capacitor layer, and a passivation film. Further, at least one layer of barrier film capable of inhibiting penetration of moisture and hydrogen into the underlayer is provided between the ferroelectric capacitor layer and the passivation film, and the passivation film is characterized by containing a novolac resin.
(FR) L'invention concerne un condensateur ferroélectrique comprenant une couche de transistor superposée sur un substrat semi-conducteur, une couche de condensateur ferroélectrique disposée au-dessus de la couche de transistor, une couche de câblage disposée au-dessus de la couche de condensateur ferroélectrique et un film de passivation. En outre, au moins une couche de film barrière capable d'inhiber la pénétration de l'humidité et de l'hydrogène dans la sous-couche est disposée entre la couche de condensateur ferroélectrique et le film de passivation, et le film de passivation est caractérisé par le fait qu'il contient une résine novolaque.
(JA) 半導体基板上に形成されたトランジスタ層と、トランジスタ層の上方に形成された強誘電体キャパシタ層と、強誘電体キャパシタ層の上方に形成された配線層と、パシベーション膜と、を備える強誘電体キャパシタである。さらに、強誘電体キャパシタ層とパシベーション膜との間に、水分および水素の下層への透過を抑制するバリア膜が少なくとも1層形成され、パシベーション膜はノボラック樹脂を含むことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020090094464CN101617399JP5163641