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1. (WO2008117883) 合成砥石
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117883 国際出願番号: PCT/JP2008/056279
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 25.03.2008
予備審査請求日: 23.01.2009
IPC:
B24D 3/02 (2006.01) ,B24D 3/00 (2006.01) ,B24D 3/28 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
D
研削,バフ加工,または刃砥ぎ用工具
3
研磨体または研磨シートの物理的特徴,例.特別な性質の研磨表面;構成成分により特徴づけられる研磨体または研磨シート
02
結合剤として用いられているものにより特徴づけられる研磨体又は研磨シート
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
D
研削,バフ加工,または刃砥ぎ用工具
3
研磨体または研磨シートの物理的特徴,例.特別な性質の研磨表面;構成成分により特徴づけられる研磨体または研磨シート
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
D
研削,バフ加工,または刃砥ぎ用工具
3
研磨体または研磨シートの物理的特徴,例.特別な性質の研磨表面;構成成分により特徴づけられる研磨体または研磨シート
02
結合剤として用いられているものにより特徴づけられる研磨体又は研磨シート
20
かつ,実質的に有機質の結合剤を用いているもの
28
樹脂を用いたもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
株式会社東京ダイヤモンド工具製作所 TOKYO DIAMOND TOOLS MFG.CO., LTD. [JP/JP]; 〒1520031 東京都目黒区中根2-3-5 Tokyo 2-3-5, Nakane, Meguro-ku, Tokyo 1520031, JP (AllExceptUS)
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA MOTOR CORPORATION [JP/JP]; 〒4718572 愛知県豊田市トヨタ町1番地 Aichi 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi, 4718572, JP (AllExceptUS)
吉田 雄二 YOSHIDA, Yuji [JP/JP]; JP (UsOnly)
江田 弘 EDA, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
周 立波 ZHOU, Libo [SG/JP]; JP (UsOnly)
剣持 匡昭 KENMOCHI, Masaaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
田代 芳章 TASHIRO, Yoshiaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
神谷 純生 KAMIYA, Sumio [JP/JP]; JP (UsOnly)
岩瀬 久雄 IWASE, Hisao [JP/JP]; JP (UsOnly)
山下 輝樹 YAMASHITA, Teruki [JP/JP]; JP (UsOnly)
小竹 登 OTAKE, Noboru [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
吉田 雄二 YOSHIDA, Yuji; JP
江田 弘 EDA, Hiroshi; JP
周 立波 ZHOU, Libo; JP
剣持 匡昭 KENMOCHI, Masaaki; JP
田代 芳章 TASHIRO, Yoshiaki; JP
神谷 純生 KAMIYA, Sumio; JP
岩瀬 久雄 IWASE, Hisao; JP
山下 輝樹 YAMASHITA, Teruki; JP
小竹 登 OTAKE, Noboru; JP
代理人:
田中 宏 TANAKA, Hiroshi; 〒1050001 東京都港区虎ノ門一丁目19番14号 邦楽ビル7階 Tokyo Hougaku Bldg. 7F 19-14, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
2007-07924426.03.2007JP
発明の名称: (EN) SYNTHETIC GRINDSTONE
(FR) MEULE SYNTHÉTIQUE
(JA) 合成砥石
要約:
(EN) Disclosed is a synthetic grindstone used for polishing of a silicon wafer, which is composed of a structure comprising cerium oxide fine particles as abrasive grains, a resin as a binder, a salt as a filler and a nanodiamond as an additive. This synthetic grindstone is characterized in that the purity of the cerium oxide is not less than 60% by weight, the content of the salt as a filler is not less than 1% but not more than 20%, the volume content of the nanodiamond as an additive is not less than 0.1% but less than 20% relative to the total volume of the structure, and the porosity as the volume fraction relative to the total volume of thestructure is less than 30%.
(FR) La meule synthétique décrite est utilisée pour polir une tranche de silicium, composée d'une structure comprenant des particules fines d'oxyde de cérium comme grains abrasifs, une résine comme liant, un sel comme charge de remplissage et un nanodiamant comme additif. Cette meule synthétique est caractérisée en ce que la pureté de l'oxyde de cérium n'est pas inférieure à 60 % par poids, la teneur en sel comme charge de remplissage n'est pas inférieure à 1 % mais pas supérieure à 20 %, la teneur en volume de nanodiamant comme additif n'est pas inférieure à 0,1 % mais inférieure à 20 % par rapport au volume total de la structure, et la porositéen fraction de volume par rapport au volume total de la structure est inférieure à 30 %.
(JA) シリコンウェーハの研磨加工に用いられる合成砥石であって、砥粒として酸化セリウム微粒子、結合剤としての樹脂、充填剤としての塩類及び添加剤としてのナノダイヤモンドを含有する構造体であって、前記酸化セリウムの純度が60重量%以上であり、充填剤としての塩類の含有率が1%以上20%以下の範囲にあり、添加剤としてのナノダイヤモンドの含有率が構造全体に対する体積含有率で0.1%以上20%未満の範囲にあり、かつ気孔率が構造全体に対し体積含有率で30%未満の範囲にあることを特徴とする合成砥石を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020100014540US20100037530CN101678533