国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2008117810) 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2008/117810 国際出願番号: PCT/JP2008/055634
国際公開日: 02.10.2008 国際出願日: 26.03.2008
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/14 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
14
エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
出願人:
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 〒1008321 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 Tokyo 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP (AllExceptUS)
矢野 公規 YANO, Koki [JP/JP]; JP (UsOnly)
井上 一吉 INOUE, Kazuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
矢野 公規 YANO, Koki; JP
井上 一吉 INOUE, Kazuyoshi; JP
代理人:
渡辺 喜平 WATANABE, Kihei; 〒1010041 東京都千代田区神田須田町一丁目26番 芝信神田ビル3階 Tokyo Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor, 26, Kanda Suda-cho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041, JP
優先権情報:
2007-07899626.03.2007JP
発明の名称: (EN) NONCRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCING THE NONCRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCING THIN-FILM TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND SPUTTERING TARGET
(FR) FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE NON CRISTALLIN, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CE FILM, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
要約:
(EN) This invention provides, for example, a noncrystalline oxide semiconductor thin film, which is insoluble in a phosphoric acid-type etching liquid and is soluble in an oxalic acid-type etching liquid by optimizing the amounts of indium, tin, and zinc, and a process for producing the noncrystalline oxide semiconductor thin film. An image display device (1) comprises a glass substrate (10), a liquid crystal (40) as a light control element, a bottom gate-type thin-film transistor (1), for driving the liquid crystal (40), a pixel electrode (30), and a counter electrode (50). A noncrystalline oxide semiconductor thin film (2) in the bottom gate-type thin-film transistor (1) has a carrier density of less than 10+18 cm-3, is insoluble in a phosphoric acid-type etching liquid, and is soluble in an oxalic acid-type etching liquid.
(FR) L'invention concerne, par exemple, un film mince semi-conducteur d'oxyde non cristallin qui est insoluble dans un liquide de gravure de type acide phosphorique et soluble dans un liquide de gravure de type acide oxalique avec une optimisation des quantités d'indium, d'étain et de zinc. L'invention se rapporte également à un procédé permettant de produire ledit film mince semi-conducteur d'oxyde non cristallin. Le dispositif d'affichage d'images (1) selon l'invention comprend un substrat de verre (10), un cristal liquide (40) servant d'élément de commande de lumière, un transistor à couches minces de type grille inférieure (1) destiné à actionner le cristal liquide (40), une électrode de pixel (30) et une contre-électrode (50). Un film mince semi-conducteur d'oxyde non cristallin (2) du transistor à couches minces de type grille inférieure (1) présente une densité de porteurs inférieure à 10+18 cm-3, est insoluble dans un liquide de gravure de type acide phosphorique, et est soluble dans un liquide de gravure de type acide oxalique.
(JA)  インジウム、錫、亜鉛の量を適正化することにより、リン酸系エッチング液に不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に可溶な非晶質酸化物半導体薄膜や、その製造方法などの提供を目的とする。  画像表示装置1は、ガラス基板10、光制御素子としての液晶40、この液晶40を駆動するためのボトムゲート型薄膜トランジスタ1、画素電極30及び対向電極50を備えており、ボトムゲート型薄膜トランジスタ1の非晶質酸化物半導体薄膜2は、キャリア密度が10+18cm-3未満であり、さらに、リン酸系エッチング液に対して不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に対して可溶である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20100155717